一、什么是電平轉(zhuǎn)換
比如兩個芯片之間的供電電壓不一樣,一個是5V,另一個是3.3V,那么在兩者之間進行通訊建立連接關(guān)系時,就需要進行電平轉(zhuǎn)換。
以TTL 5V和CMOS 3.3V為例,他們的高低電平范圍不一樣,如果不進行電平轉(zhuǎn)換,邏輯則是混亂的。
二、電平轉(zhuǎn)換電路舉例
2.1、單向電平轉(zhuǎn)換電路
上面數(shù)據(jù)傳輸方向是從右到左,即TXD-2傳到RXD-1 ①當(dāng)TXD-2為低電平時,D1導(dǎo)通,RXD-1被拉低;
②當(dāng)TXD-2為高電平5V時,D1截止,RXD-1被拉高到3.3V高電平;
下面數(shù)據(jù)傳輸方向是從左到右,即TXD-1傳到RXD-2 ③當(dāng)TXD-1為低電平時,Q1導(dǎo)通,RXD-2被拉低;
④當(dāng)TXD-1為高電平3.3V時,Q1截止,RXD-2被拉高到5V高電平。
2.2、雙向電平轉(zhuǎn)換電路
①當(dāng)DAT1為高電平3.3V時,Q2截止,DAT2被上拉到5V高電平;
②當(dāng)DAT1為低電平時,Q2導(dǎo)通,DAT2被拉低;
③當(dāng)DAT2為高電平5V時,Q2不通,DAT1被上拉到3.3V高電平;
④當(dāng)DAT2為低電平時,MOS管里的體二極管把DAT1拉低到低電平,此時Vgs約等于3.3V,Q2導(dǎo)通,進一步拉低了DA1的電壓。
三、注意事項
①上拉電阻的取值
上拉就是要把VCC的電壓上拉給I/O口使用,同時起到限流的作用。一般取值為10K、5.1K、4.7K。 阻值越小,可以提供更大的電流驅(qū)動能力,速率越高,但功耗也越高。在滿足電路性能的前提下,用阻值更大的電阻,功耗更低。
②MOS選型
Vgs(th)閾值電壓。MOS管Vgs電壓過高會導(dǎo)致MOS管燒壞,過低也會導(dǎo)致MOS管打不開。實際使用時為保證完全導(dǎo)通,設(shè)計上要多預(yù)留余量。
小結(jié):
01
二極管、三極管和MOS管組成的電平轉(zhuǎn)換電路,優(yōu)點是價格便宜,缺點是要求使用在信號頻率較低的條件下。選型時,盡量選用結(jié)電容小、開關(guān)速率高的管子。
02
集成IC組成的電平轉(zhuǎn)換電路,優(yōu)點是速率高,通常可以用在幾十MHz信號的電平轉(zhuǎn)換中。缺點是成本較高。在成本控制嚴(yán)格的產(chǎn)品中綜合考慮性能與價格進行選型。
審核編輯:劉清
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