通訊作者：占光明、么艷彩、張禮知

通訊單位：上海交通大學

文章鏈接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c13834

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導讀

氯氣(Cl2)在有機合成、家用漂白劑和水處理中有著廣泛的應用。工業生產Cl2需要在飽和氯化鈉以及強酸性溶液條件下(pH值約2)下進行電解，導致陽極氯析出反應(CER)需要使用到大量DSA(負載于Ti基底的Ru/Ir氧化物)來加速電化學反應。為了可持續發展，減少貴金屬用量和提高性能是CER電極發展的迫切要求。

02

成果簡介

作者報道了非晶態鈦氧化物載體能夠有效調節Ir單原子的配位環境，從而實現鈦陽極高效持久的析氯反應。實驗和理論結果表明，在非晶鈦氧化物和結晶鈦氧化物上分別形成了四配位Ir1O4和六配位Ir1O4結構。有趣的是Ir1O4位點表現出優越的CER性能，其質量活性分別是IIr1O4和DSA的10倍和500倍。此外，Ir1O4陽極表現出優異的200小時耐久性，遠遠超過Ir1O4陽極(2小時)。機理研究表明，Ir1O4中的不飽和Ir位點是CER的活性中心。Ir1O4的無定形結構和受限的水解離協同阻止了O在Ti基底上的滲透，有助于其長期的CER穩定性。該成果以“Engineering the Coordination Environment of Ir Single Atoms with Surface Titanium Oxide Amorphization for Superior Chlorine Evolution Reaction”為題發表在國際頂級期刊Journal of the American Chemical Society上。

03

研究亮點

1，作者提出了鈦氧化物載體的結晶性能夠調節單原子Ir的配位結構：在非晶鈦氧化物和結晶鈦氧化物上分別形成了四配位Ir1O4和六配位Ir1O6結構。單原子Ir的結構差異將影響物種的吸附。

2，Ir1O4顯示出優異的CER性能，過電位僅為71.8 mV@10 mA cm-2，且具有200小時耐久性。

3，實驗與模擬結果顯示，氧化層的非晶化結構以及緩慢的水解離有效阻止了氧滲透到Ti基底內部，提高了Ti的抗鈍化能力。

04

研究內容

圖1 合成及電鏡表征：(a)在a-TiO2-x/Ti和c-TiO2-x/Ti上合成單原子Ir的示意圖；(b，e)a-TiO2-x/Ti和c-TiO2-x/Ti的HRTEM圖像；(c，f)a-TiO2-x/Ti和c-TiO2-x/Ti的AC HAADF-STEM圖像；(d，g)分別沿著(c)和(f)中矩形標記的區域對應的三維AOGF映射和線強度分析。

通常，天然形成的鈦氧化物的結晶度較差，其內部有晶態Ti，表面有非晶態鈦氧化物層，邊界清晰(記為a-TiO2-x/Ti)。通過對a-TiO2-x/Ti進行高溫處理和慢冷相結合的結晶處理，制備出相應的晶體(c-TiO2-x/Ti)，使其逐漸由非晶態轉變為晶態。

接著，作者利用缺陷工程策略和金屬-載體相互作用，將單原子Ir固定在不同晶相的鈦氧化物上。通過HAADF-STEM可以看到，Ir分別分散在a-TiO2-x/Ti(圖1b、c)和c-TiO2-x/Ti表面(圖1e、f)。經三維原子重疊高斯函數擬合(3D AOGF)，如圖1d、g所示，其顯示Ir呈現高度分散的孤立結構，與線強度分析一致。

圖2 結構表征：(a)Ir的L3邊緣FT-EXAFS譜圖；(b，c)Ir的L3邊緣FT-EXAFS擬合曲線；(d)Ir的L3邊緣XANES譜圖；(e)小波變換光譜；(f-h)Ti 2p、O 1s、Ir 4f的XPS譜圖。

接著，利用XAFS和XPS檢測了單原子Ir的局部配位環境和電子態。兩個樣品的FT-EXAFS譜圖均顯示一個主峰，對應Ir-O配位，而沒有出現Ir-Ir配位，表明Ir呈原子分散結構(圖2a)。通過擬合EXAFS光譜(圖2b、c)，結果表明，在a-TiO2-x/Ti上，Ir僅與4個相鄰的O配位(記為Ir1O4)，表明Ir具有高度配位不飽和的特征；而負載于c-TiO2-x/Ti上的Ti與6個相鄰的O配位(記Ir1O6。因此，Ir1O4中的Ir-O散射路徑(~1.67 ?)比Ir1O6的Ir-O散射路徑(~1.58 ?)更大，這是由于在非晶基底上，Ir-O原子間距被拉伸所致；圖2d的小波變換也證實了這一結果(Ir1O4具有較高的R和k值)。

圖2e的Ir的L3邊緣XANES譜圖顯示，與Ir1O6相比，Ir1O4中的Ir的L3邊緣的峰強度較低，即由載體非晶化引起Ir的平均價態較低。與a-TiO2-x/Ti基底相比，Ir1O4中Ti 2p3/2的峰偏移到更高的結合能處，表明在Ir沉積后，電子可能從Ti轉移到單原子Ir。結合Ir1O4中明顯正移的金屬-氧峰(M-O)(圖2g)，可以推斷電子轉移發生在Ti-O-Ir上。相反，對于Ir1O6，Ti 2p3/2和M-O的峰位移較小，表明其Ti-O-Ir單元的電子轉移較弱。這一推測也得到了Ir1O4中Ir 4f7/2具有較低的結合能的支持(圖2h)，表明電子從Ti基底轉移到單原子Ir上。因此，Ti基底的表面氧化層的結晶度將強烈影響單原子Ir的局部配位環境與電子結構(配位飽和的Ir1-O6結構可能難以吸附Cl物種)，從而提供明顯不同的CER活性。

圖3 CER性能：(a)CER極化曲線；(b)Tafel曲線；(c)不同催化劑的過電位比較；(d)Ir1O4和Ir1O6的TOF數值比較；(e)Ir1O4、Ir1O6和DSA的性能參數比較；(f)循環1萬次后的極化曲線；(g)在10 mA cm-2下的計時電位曲線。

在pH=2的4 M NaCl中評估了Ir1O4、Ir1O6的CER性能，并將其與商業DSA、a-TiO2-x/Ti和c-TiO2-x/Ti進行了比較。圖3a的LSV曲線顯示，Ir1O4可以在更低的過電位下提供更高的電流密度。例如，在10 mA cm-2下，Ir1O4的過電位僅為71.8 mV，且Tafel斜率為53 mV dec-1，這一結果遠優于Ir1O6(181.4 mV和115 mV dec-1)， DSA (95.8 mV和60 mV dec-1)，以及大多數的Ru和Ru/Ir基CER電催化劑(圖3b、c)。

圖3d進一步比較了Ir1O4、Ir1O6的轉換頻率(TOF)。例如，Ir1O4在過電位為110 mV時的TOF為0.12 s-1，比Ir1O6的TOF高31倍。同時，由ECSA歸一化的比活性也揭示了Ir1O4具有更高的本征活性(圖3e)，優于商業DSA與Ir1O6。

在沒有NaCl的情況下，Ir1O4幾乎不產生法拉第電流(圖3a)，表明其OER活性極差。在電解質中加入NaCl后，Ir1O4的Cl2選擇性達到90.0%，與Ir1O6(32.5%)和DSA(80.1%)形成鮮明對比(圖3e)，證實了其優異的Cl2選擇性。更重要的是，Ir1O4表現出優異的耐久性，在循環1萬次前后的極化曲線、以及200 h的長時間運行中都沒有明顯的活性衰減(圖3f、g)。

圖4 CER機制：(a)Ir1O4和Ir1O6中單原子Ir的局部配位構型；(b)差分電荷密度圖；(c)CER過程的自由能圖；(d，e)CER條件下的原位拉曼光譜；(f)吸附氯原子后，Ir1O4和Ir1O6的DOS分布；(g)反應后收集Ir1O4和Ir1O6，進行H2-TPR處理；(h)在m/z=36時，收集到的H2-TPR譜線。

作者采用DFT計算來理解Ir1O4優異的CER活性和活性位點。根據EXAFS擬合結果，構建了Ir1O4和Ir1O6的合理模型，如圖4a所示。差分電荷密度圖顯示單原子Ir和基底之間存在電子相互作用，Ir1O4的Bader電荷轉移(+1.15e)低于Ir1O6的Bader電荷轉移(+1.40e)，即更多的電子從a-TiO2-x/Ti轉移到單原子Ir上。圖4c顯示了CER過程的自由能，Ir1O4上親電不飽和Ir位點的Cl吸附能為-0.1 eV，比Ir1O6上配位O位點的Cl吸附能(+0.31 eV)更接近于0 eV，有利于Cl的吸附。

因此，暴露的單原子Ir是Ir1O4的Cl吸附位點，這也被原位拉曼光譜證實(圖4d)：隨著反應電位的增加，在500 cm-1處出現了一個越來越強的Ir-Cl鍵拉曼信號。相比之下，在飽和配位的Ir1O6催化劑上，只在791 cm-1處觀察到一個較弱的峰(O-Cl鍵)(圖4e)。空間位阻效應增加了Cl在飽和Ir配位位點上的吸附難度，但有利于其在上配位O原子上的吸附。

通過態密度(DOS)進一步比較不同吸附位點與Cl之間的相互作用(圖4f)。Ir1O4中Ir 5d和Cl 3p軌道的重疊比Ir1O6中O 2p和Cl 3p軌道的重疊要大，表明Cl與不飽和Ir位點的相互作用強于與飽和Ir的頂配位O的相互作用。通過H2程序升溫還原(H2-TPR)進一步驗證了Cl物種在Ir1O4和Ir1O6上的吸附強度，發現Ir1O4中Cl解吸峰的溫度高于Ir1O6(圖4g、h)，證實了Ir1O4對Cl的吸附更強，這與理論計算結果和原位拉曼光譜中更強的吸附信號相吻合。上述分析可以簡單理解：CER催化活性的巨大差異源于Ir1O6上Cl的吸附位點從頂部配位的O到Ir1O4中不飽和Ir位點的變化，從而影響了與Cl的結合強度。

圖5 失活機理研究：(a)氧化環境下Ir1O6可能的氧滲透動態過程；(b)氧滲透動力學過程的相應自由能圖；(c)Ir1O4在水吸附和隨后解離成羥基過程中的局部結構構型和過渡態；(d)水吸附和解離的自由能圖；(e)Ir1O4和Ir1O6在10000圈循環前后的拉曼光譜；(f，g)不同蝕刻時間后O/Ti的原子比。

通過理論模擬分析了結晶鈦氧化物的鈍化過程(圖5a、b)。由于整個CER過程發生在酸性溶液中，處于初始狀態的Ir1O6表面以表面吸附羥基(*OHsurf)的形式暴露出來(階段I)。在施加電位(1.36 V)下，表面配位飽和的Ir1O6會自發吸附另一個OH，吸附能為-2.11 eV，達到過飽和狀態(階段I~II)。初始態的*OHsurf由于位阻的排斥力進入亞表面，自發脫氫形成亞表面氧(Osub，階段II~III)，新的*OHsurf將占據原來*OHsurf的位點。在氧化層和金屬層之間氧濃度差的驅動下，新形成的Osub可以沿著Ti-O-Ti自發地滲透到氧化層和金屬層的界面中(階段III~IV)，從而使氧化層變厚，導致電子轉移阻抗的急劇增加。總的來說，在Ir1O6上，OH的過飽和吸附(階段I到II)、OH的脫氫滲透(階段II到III)以及隨后Osub的深度滲透(階段III到IV)都是自發過程。

在氧滲透過程中，氧化層和金屬層之間的氧濃度差是動力，而規則且排列緊密的Ti-O-Ti框架通過提供軸向通道促進了這一過程。對于Ir1O4，由于水解離存在較大的勢壘(1.42 eV)，阻止了額外的OH吸附(圖5c、d)。因此，Ir1O4催化劑上的氧滲透和Ti基底的鈍化被抑制。

反應前后電極的拉曼光譜證實了Ir1O6上氧化層的增厚(圖5e)，反應后在143、239、443和610 cm-1處的拉曼信號明顯增加，對應金紅石型TiO2結構，而Ir1O4沒有觀察到這種情況，這與其無定形氧化層的無序特性有關。

通過Ar離子蝕刻的XPS光譜進一步驗證了這種抗鈍化機制，定性分析了電極表面和亞表面上O/Ti原子的比例(圖5f、g)。新鮮的Ir1O4和Ir1O6電極表面的O/Ti原子比很低，小于2。然而，反應后Ir1O6的表面O的比例明顯增加，這是由于氧的吸附能力過大。隨著刻蝕時間的增加，O/Ti比值甚至高于初始樣品(>2)，證實了氧滲透到電極中，使電極鈍化(圖5f)。經過1萬次循環反應后，Ir1O4的表面O比例僅略有增加，而亞表層的O/Ti比例與初始樣品非常接近，有力地驗證了氧化層非晶化的抗鈍化能力(圖5g)。上述分析可以簡單理解：對于Ir1O4，無定形氧化層結構和較高的水解離勢壘，有效阻止了氧滲透到Ti基底內部，抑制了Ti鈍化，使Ir1O4顯示出優異的CER穩定性。

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總結與展望

綜上所述，本文證明了表面鈦氧化物非晶化是一種有效的策略，可用于調節單原子Ir的配位環境，以實現高效和穩定的CER。所制備的Ir1O4電極在10 mA cm-2下過電位僅為71.8 mV，質量活性為95 mA mgIr-1，遠遠優于Ir1O6和DSA。原位拉曼光譜和理論模擬表明，CER催化活性的巨大差異源于Ir1O6上Cl的吸附位點從頂部配位的O到Ir1O4中不飽和Ir位點的變化，從而影響了與Cl的結合強度。更重要的是，鈦氧化物的無定形結構和緩慢的水解離阻止了氧滲透到Ti基底內部，抑制了Ti鈍化，使Ir1O4陽極具有強大的穩定性。這些發現強調了表面氧化物結晶度對鈦基陽極活性和穩定性的影響，并對如何調節單原子配位環境提供了見解，以獲得更好的催化性能。

審核編輯：劉清