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美光推LPDDR5X內(nèi)存,助提升手機電池續(xù)航

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-15 15:05 ? 次閱讀

據(jù)4月15日報道,美光在最新博文中透露,全新一代9.6Gbps(9600MHz)LPDDR5X內(nèi)存樣品已經(jīng)交付給移動設(shè)備制造商。相較前代產(chǎn)品,此款新品功耗降低4%。

美光強調(diào),此新型內(nèi)存不僅可以滿足AI密集型應(yīng)用對高帶寬的需求,還大幅提升了能效。

參考IT之家早先報道,美光首批9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存于去年10月面世,最大容量16GB,適配高通驍龍8Gen3平臺;SK海力士亦在2023年推出同速LPDDR5T內(nèi)存。

據(jù)Statista2023年調(diào)查報告指出,71%的受訪者表示下一次購機將優(yōu)先考慮“電池續(xù)航”,遠超選擇“耐用性”(61%)及“相機質(zhì)量”(48%)的比例。

這表明電池續(xù)航能力仍然是消費者關(guān)注的焦點,也是手機制造商亟待改善的重要環(huán)節(jié)。而作為手機整體的組成部分,節(jié)能型內(nèi)存系統(tǒng)有助于延長用戶使用時間。

美光新版9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存依然基于未引入EUV光刻的1β(1-beta)節(jié)點,采用第二代HKMG技術(shù)與改良JEDECeDVFSC技術(shù),以實現(xiàn)更強的功耗控制與電源效率提升。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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