3D NAND絕對是芯片制程的天花板，三星，海力士，英特爾，長江存儲等都有3D NAND的產線，代表了一個國家的芯片制造水平。今天，我們就來剖析一下3D NAND的主要制作流程。

1，基底準備：選擇12寸特定晶向的硅片。

2，SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據產品的不同，膜層的層數也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實際有64，128，400層等層數。

3，沉積無定形硅碳膜，這個是用來做溝道刻蝕的硬掩模。

4，硬掩模刻蝕，將硬掩模開口，以便于刻蝕堆疊的SiO2與SiNx材料

5，溝道通孔刻蝕

6，臺階刻蝕，見文章：

《3D NAND的臺階蝕刻（刻蝕）》

7，沉積無定形硅硬掩模，圖片為側視圖

8，將硬掩模開孔

9，slit etch：將SiO2與SiNx的堆疊層刻蝕為一個個溝槽，

10，將堆疊層中的SiNx刻蝕掉，填充TiN,鎢（W）等,即word line fill工藝。

11，刻蝕掉多余的鎢，之后需要對溝道通孔進行填充，因此需依次沉積阻擋氧化層，Charge Trap SiN (電荷陷阱氮化硅)，Tunnel Oxide (隧道氧化物)，Poly Si (多晶硅)，Core SiO2 (硅基體)。功能區主體結構完成。

12，沉積介質層，并用CCP-RIE進行接觸孔蝕刻。

13，用金屬填充接觸孔，并制作出連接接觸孔的金屬導線-Bit line，3D NAND的整個制程結束。

文中精簡了比較多的重復步驟，實際工藝在數百步以上。

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