深圳基本半導體近期獲批一項名為“一種溝槽型碳化硅MOSFET器件結構及其制備方法”的專利（專利號CN117238972B），并將于2024年4月16日正式生效。此項專利主要涉及半導體器件技術領域，其創新之處在于提出了一種新型溝槽型碳化硅MOSFET器件結構及制作工藝。

具體來說，該結構由以下幾部分組成：首先是n+型碳化硅襯底，接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層，這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部，從外部向內部依次設有p+型基區、n+型源區以及柵氧化層，其中柵氧化層還包覆著多晶硅柵。此外，柵氧化層、p+型基區以及n+型源區的底部均設有p+型保護區，n型電流傳輸層上方則覆蓋有隔離介質層，其兩側各設接觸電極，隔離介質層上方設有源電極，n+型碳化硅襯底的背面設有漏電極。

通過這種設計，本發明成功地改變了器件溝道電流的方向，使之不再受溝槽保護結構的限制，同時通過引入電流傳輸層降低了溝槽保護結構對溝道電流的影響，從而實現了更低的比導通電阻。