消息稱SK海力士測試東京電子低溫蝕刻設(shè)備
SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開緊密合作，通過發(fā)送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設(shè)備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產(chǎn)導(dǎo)入新技術(shù)。在當(dāng)前，增加堆疊層數(shù)已經(jīng)成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
不過，隨著層數(shù)的增加，面臨的挑戰(zhàn)也愈發(fā)嚴(yán)峻。閃存顆粒內(nèi)部需要蝕刻出垂直通道以確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)牧鲿常趯訑?shù)增高的過程中，深寬比的增大使得蝕刻的難度加大，且蝕刻速度也逐漸減慢。這種現(xiàn)象對生產(chǎn)效率產(chǎn)生了顯著影響。
SK 海力士和東京電子的這次合作，旨在通過測試TEL的低溫蝕刻設(shè)備，找到一種更為高效、精確的蝕刻方法，以應(yīng)對未來NAND閃存生產(chǎn)中的挑戰(zhàn)，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的性能和生產(chǎn)效率。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1789瀏覽量
114929 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
4912瀏覽量
127992 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
962瀏覽量
38505
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略，聚焦高端存儲技術(shù)
近日，SK海力士正逐步調(diào)整其生產(chǎn)策略，降低DDR4的生產(chǎn)比重。在今年第三季度，DDR4的生產(chǎn)比重已從第二季度的40%降至30%，并計(jì)劃在第四季度進(jìn)一步降至20%。這一調(diào)整或?qū)⒁馕吨?b class='flag-5'>SK海力士
韓華精密機(jī)械向SK海力士提供HBM設(shè)備
合設(shè)備未通過資格認(rèn)證”的消息，韓華精機(jī)于當(dāng)日發(fā)表聲明稱，該報(bào)道內(nèi)容并不屬實(shí)。
韓華精密機(jī)械的相關(guān)負(fù)責(zé)人當(dāng)日表示：“我們已經(jīng)順利將測試設(shè)備交付給了
SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存
在最近的FMS 2024峰會(huì)上，SK 海力士憑借其創(chuàng)新實(shí)力，率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品，再次引領(lǐng)存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技
SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資
據(jù)最新消息，SK海力士正醞釀一項(xiàng)重要財(cái)務(wù)戰(zhàn)略，考慮推動(dòng)其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進(jìn)行首次公開募股（IPO）。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購
SK海力士與Amkor攜手推進(jìn)硅中介層合作，強(qiáng)化HBM市場競爭力
在半導(dǎo)體行業(yè)日益激烈的競爭中，SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術(shù)創(chuàng)新的決心。近日，有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售
SK海力士與臺積電攜手量產(chǎn)下一代HBM
近日，SK海力士與臺積電宣布達(dá)成合作，計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項(xiàng)合作中，臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確保基礎(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海
SK海力士聯(lián)手TEMC開發(fā)氖氣回收技術(shù)，年度節(jié)省400億韓元
SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置，用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣，然后交予 TEMC 進(jìn)行純化處理，最后回流至 SK 海力士使用。
剛剛！SK海力士出局！
在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達(dá)已經(jīng)向SK
SK海力士重組中國業(yè)務(wù)
SK海力士，作為全球知名的半導(dǎo)體公司，近期在中國業(yè)務(wù)方面進(jìn)行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報(bào)道，SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務(wù)布局，計(jì)劃關(guān)閉運(yùn)營了長達(dá)17年的上海銷售公司，并將其業(yè)務(wù)重
三星和SK海力士出手！限制二手半導(dǎo)體設(shè)備售賣
為了避免違反美國的規(guī)定，SK海力士最近雖然出售了一些淘汰的半導(dǎo)體設(shè)備，但非常謹(jǐn)慎地選擇了買家，確保不包括那些受美國控制的核心設(shè)備，比如晶圓減薄機(jī)和
SK海力士擴(kuò)大對芯片投資
SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過1
鎧俠向SK海力士提議在日產(chǎn)非易失性存儲器，推動(dòng)合作達(dá)成
去年，鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實(shí)施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠，提供
SK海力士持續(xù)投資無錫的原因
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
發(fā)表于 01-31 11:23
?826次閱讀
三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進(jìn)“超級集群”計(jì)劃
三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元，推進(jìn)“超級集群”計(jì)劃。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論