根據(jù)Theelec報道，ASML公布其高數(shù)值孔徑EUV（High-NA EUV）設備，預計在2025上半年供應給英特爾獨占使用，因此2025下半年之后三星與SK海力士方可獲得此設備。

消息人士透露，ASML此類設備年產(chǎn)量大約在五至六臺之間，意即英特爾全數(shù)預定了初期產(chǎn)能。他們進一步指出，由于英特爾迅速報出重返芯片代工市場，從而迅速購得這些設備。

ASML的高數(shù)值孔徑EUV設備對于2nm工藝節(jié)點芯片的制造至關(guān)重要，每臺設備成本高達5000億韓元（折合人民幣約26.47億元）。

數(shù)值孔徑（NA）代表光學系統(tǒng)收集及聚焦光線的能力，數(shù)值越大，聚光效果越佳。高數(shù)值孔徑EUV設備的數(shù)值孔徑從0.33提升至0.55，使其能夠繪制更為精密的電路圖案。

自2017年ASML首臺量產(chǎn)EUV光刻機問世以來，三星的7nm、5nm、3nm工藝以及臺積電的第二代7nm、5nm、3nm工藝均依賴于數(shù)值孔徑為0.33的EUV光刻機進行生產(chǎn)。隨著三星、臺積電、英特爾3nm制程的陸續(xù)量產(chǎn)，三家企業(yè)正積極投入2nm制程研發(fā)，以滿足未來高性能計算（HPC）等高端芯片需求，并在晶圓代工市場競爭中占據(jù)優(yōu)勢。

為了爭取客戶，英特爾選擇比競爭對手更早采用高數(shù)值孔徑EUV。盡管該公司于2021年重回代工市場，但去年該業(yè)務仍虧損達70億美元。