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用于2kV碳化硅MOSFET模塊的
數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
評(píng)估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動(dòng)基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的特性測(cè)試。評(píng)估板使用EiceDRIVER 1ED38x0Mc12M數(shù)字驅(qū)動(dòng)電路,參數(shù)可以通過I2C-BUS靈活設(shè)置。電路板可以在不改變硬件設(shè)計(jì)的前提下針對(duì)不同用于優(yōu)化設(shè)計(jì)。電路有27個(gè)配置寄存器,通過I2C接口設(shè)置。這些配置選項(xiàng)可以調(diào)整多個(gè)閾值和時(shí)序參數(shù),以優(yōu)化驅(qū)動(dòng)保護(hù)特性。
產(chǎn)品型號(hào):
EVAL-FFXMR20KM1HDR
所用器件:
柵極驅(qū)動(dòng)器:1ED38x0Mc12M
產(chǎn)品特點(diǎn)
用于62mm,2kV CoolSiC溝槽柵MOSFET模塊的半橋驅(qū)動(dòng)板
驅(qū)動(dòng)有獨(dú)立的拉電流和灌電流管腳,便于優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)IC 1ED3890MC12M或1ED3890MU12M X3系列數(shù)字電路,帶I2C總線,用于參數(shù)調(diào)整
硬件欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)
應(yīng)用價(jià)值
兩級(jí)關(guān)斷(TLTO),可調(diào)節(jié)斜率、第二級(jí)電壓平臺(tái)時(shí)間和電壓值
驅(qū)動(dòng)負(fù)電壓調(diào)節(jié)范圍為-5V至0V
可以調(diào)節(jié)正電壓,在高開關(guān)頻率下降低總損耗
電路板設(shè)計(jì)降低電路板發(fā)熱
與2kV的新型碳化硅62毫米半橋模塊配套
可以實(shí)現(xiàn)-5V至+18V范圍正負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)
客戶可用EiceDRIVER軟件工具,設(shè)計(jì)方便
集成了TLTO、DESAT檢測(cè)、軟特性UVLO、米勒箝位等功能
應(yīng)用領(lǐng)域
直流-直流轉(zhuǎn)換器
太陽能應(yīng)用
不間斷電源系統(tǒng)
固態(tài)變壓器
框圖
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