納芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列
納芯微近期發布了其首款1200V SiC MOSFET產品——NPC060N120A系列，該系列產品的RDSon值低至60mΩ，展現了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L，以滿足不同應用場景的需求。
納芯微的碳化硅MOSFET以其卓越的RDSon溫度穩定性和更寬的門極驅動電壓覆蓋度而著稱，同時還具備高可靠性，使其在各種應用中都能表現出色。這款新品特別適用于電動汽車的OBC/DCDC系統、熱管理系統、光伏和儲能系統(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領域。
NPC060N120A系列的推出，不僅彰顯了納芯微在半導體技術領域的創新實力，也為相關行業提供了更加高效、可靠的解決方案。隨著電動汽車和可再生能源市場的快速發展，納芯微的這一新品有望在未來發揮重要作用。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
147文章
7258瀏覽量
214408 -
SiC
+關注
關注
29文章
2899瀏覽量
62985 -
納芯微
+關注
關注
2文章
271瀏覽量
14638
發布評論請先 登錄
相關推薦
三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級
瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（
東芝推出全新1200V SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“
瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規級可靠性測試認證
認證；同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產，后續將依托浙江義烏的車規級碳化硅(SiC)晶圓廠
Nexperia發布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數據手冊
電子發燒友網站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數據手冊.pdf》資料免費下載
發表于 04-10 18:02
?0次下載
1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數據手冊
電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數據手冊.pdf》資料免費下載
發表于 04-10 17:16
?0次下載
1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數據手冊
電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
發表于 04-10 17:14
?0次下載
1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數據手冊
電子發燒友網站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數據手冊.pdf》資料免費下載
發表于 04-10 17:11
?0次下載
1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數據手冊
電子發燒友網站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數據手冊.pdf》資料免費下載
發表于 04-10 15:23
?0次下載
瞻芯電子推出一款車規級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z
近日，瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產品及其采用的
工商網監
評論