5月27日，中國半導體制造領域迎來里程碑式的事件——芯聯集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線，這一成就標志著國產8英寸碳化硅晶圓的生產正式邁入國產化階段。此項目總投資高達9.61億元，預計全面投產后，將形成每年6萬片6/8英寸碳化硅晶圓的生產能力，為我國的半導體產業注入強勁動力。

在全球半導體競爭日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其獨特的性能，如高耐壓、高溫穩定性等，被廣泛應用于新能源汽車、光伏發電等領域。近年來，國內外SiC廠商紛紛布局8英寸生產線，力求在襯底、外延、器件、設備等方面取得突破。芯聯集成作為一家專注于晶圓制造與代工的企業，緊跟行業趨勢，積極布局8英寸SiC市場，并取得了顯著成果。

自2021年起，芯聯集成持續投入SiC MOSFET芯片及模組封裝技術的研發與產能建設。經過不懈努力，該公司已成功實現車載主驅逆變器用SiC MOSFET器件和模塊的量產，并在2023年實現了月產出超過5000片的產能。這一成績不僅彰顯了芯聯集成的技術實力和市場競爭力，也為我國碳化硅產業的快速發展提供了有力支撐。

與此同時，國內多家碳化硅企業也在8英寸SiC領域積極布局。三安與意法半導體的合資項目已全面封頂，總投資高達70億元;湖南項目也在穩步推進中，計劃于今年三季度投產，屆時將形成年產48萬片的規模。天岳先進、合盛硅業等企業也在8英寸碳化硅襯底領域取得了顯著進展，南砂晶圓、希科半導體等企業亦在積極布局8英寸碳化硅產業化項目。

國產8英寸碳化硅晶圓的成功下線，不僅標志著我國在先進半導體制造領域取得了新的突破，也為我國新能源汽車、光伏儲能等產業的發展注入了強大動力。隨著碳化硅技術的不斷成熟和產業鏈的完善，我國在全球半導體領域的競爭地位將進一步提升。