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全新40V STripFET F8 MOSFET,性能先進且EMI極低
具有出色的本體二極管恢復軟度,可確保您的高性能解決方案符合相關要求。
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MDmeshM9系列具有非凡開關性能
該款超結MOSFET采用TO247-4引線封裝以及額外的驅動Kelvin引腳,能夠進一步降低開關損耗。
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超快速650V PowerGaN G-HEMT晶體管
采用體積更小的無源元件和更為緊湊的設計,適用于效率更高的消費類和工業電源。
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全新40A,1200V晶閘管采用表面貼裝式D2PAK封裝
具有更高的電壓抗擾度和浪涌電流等級,適用于面向汽車和電源應用的緊湊型浪涌電流限制。
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全新ACEPACK SMIT模塊,集成了汽車級半橋結構IGBT
安裝簡便且具有出色的電氣和熱效率,使OBC系統更加緊湊和可靠。
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原文標題:ST功率分立器件資訊(2024年5月)
文章出處:【微信號:STM_IPGChina,微信公眾號:意法半導體PDSA】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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