6月13日-6月15日，SNEC第十七屆（2024）國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會（以下簡稱“SNEC光伏展”）于上海國家會展中心舉辦。本次展會，碳化硅功率器件領先品牌派恩杰半導體如約參展，攜SiC功率器件、芯片設計路線以及1700V高壓器件應用方案與大家在上海見面，為工業應用以及新能源車用方案等提供了一個新的方向。

展會期間，蒞臨派恩杰8.1H C650展位咨詢的客戶絡繹不絕，紛紛對派恩杰最新技術的產品以及可靠封裝模塊表現出濃厚的興趣，并與派恩杰建立了合作聯系。

不僅是碳化硅模塊產品，派恩杰半導體芯片設計Roadmap以及1700V高壓器件應用方案在展會上同樣引起了不少的關注及問詢，在展會上大放異彩。

碳化硅模塊

派恩杰作為一家專注于MOSFET及碳化硅功率模塊的研發型公司，自2022年派恩杰第一款62mm模塊下線開始，注重模塊應用的高質量生產和卓越的設計開發技術，探索前沿工藝能力，陸續推出了Easy1B系列模塊、HPD、HEPACK、TPAK、SOT227等產品。

新能源行業朝氣蓬勃，功率半導體產業正在成為全球集成電路行業發展的重要動力。功率半導體作為單車成本最高的半導體之一，也是國內企業現階段最有可能實現突破的半導體領域，而碳化硅已毋庸置疑地成為了主要突破點。

隨著技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展，碳化硅功率器件的應用將會越來越廣泛，成為電力電子領域的重要支撐。

半導體芯片設計Roadmap

派恩杰半導體專注于第三代半導體的設計與推廣，擁有深厚的技術積累和全面的產業鏈優勢。其中，派恩杰半導體的碳化硅MOSFET的設計水平處于行業前列，關鍵技術指標HDFM全球領先。派恩杰半導體在650V，1200V，1700V三個電壓平臺已發布100余款不同型號的碳化硅二極管，碳化硅MOSFET，碳化硅功率模塊和GaN HEMT產品，能夠為客戶提供全方位的選擇和技術支持。派恩杰半導體的量產產品已在電動汽車，IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統、工業應用等領域廣泛使用，為Tier 1廠商持續穩定供貨，且產品質量與供應能力得到客戶的廣泛認可。

1700V高壓器件應用方案

對于高功率以及高電壓的應用場景例如電機驅動、光伏逆變器、儲能、充電樁以及UPS等，在這些應用場合中母線電壓高達上千伏，SiC MOSFET高壓特性可以使用單管反激拓撲實現電源轉換，使用1700V器件擁有以下優良特性。

派恩杰應用此高壓器件開發了基于UCC28740準諧振反激以及基于UCC28C45非準諧振應用方案，兩種方案都能同時滿足高效率高功率要求，兼具貼片以及插件器件封裝。

此次上海光伏展，派恩杰不僅鞏固了與老客戶之間更深入的合作，同時與更多SiC新客戶建立了新的光伏合作。未來，派恩杰仍會不斷提升技術研發能力、增加合規產品產量并擴大產品應用領域，期待下次攜帶更多新產品與應用方案與大家見面！

派恩杰致力于碳化硅功率器件國產替代，專注于技術創新和產品研發。我們將持續為新能源賽道賦能，助力客戶步履更穩，行得更遠。未來我們也希望能夠和業內更多同仁進行多方位的技術交流并保持友好合作。敬請期待！

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術總監

師承IGBT發明者Dr. B.Jayant Baliga與發射極關斷晶閘管發明者Dr.Alex Q.Huang。2018年創建派恩杰半導體(杭州)有限公司，領導派恩杰成為全球第一家量產元胞尺寸小于5μm的平面柵碳化硅MOSFET供應商，獲得國際新能源龍頭企業認可并收獲直供訂單，完成數億元融資。黃興博士著有10余篇科技論文，超350次引用，并擁有40余項專利，是碳化硅研發及應用領域的資深專家。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數據中心、超級計算與區塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業特種電源、UPS、電機驅動等領域。