國產(chǎn)第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實(shí)測在1700V左右，高于市面主流競品，擊穿電壓BV設(shè)計(jì)余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng)，能夠確保大批量制造時(shí)的器件可靠性，這是第二代SiC碳化硅MOSFET布袋除塵器關(guān)鍵的品質(zhì)。

第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高，也增強(qiáng)了在電力電子系統(tǒng)應(yīng)用中的可靠性。同時(shí)，SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss在市面主流競品中是比較小的，帶來關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的，優(yōu)于部分海外競品，特別適用于LLC應(yīng)用，同規(guī)格較小的Crss帶來出色的開關(guān)性能。

Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ?柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時(shí)間；Ciss越大，延遲時(shí)間越長。第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。

Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ?柵極-漏極電容：Crss越小，漏極電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開關(guān)過程中對切換時(shí)間起決定作用，高速驅(qū)動(dòng)需要低Crss。

Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）?柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。

國產(chǎn)第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：

? 比導(dǎo)通電阻降低40%左右，Qg降低了60%左右，開關(guān)損耗降低了約30%

? 降低Coss參數(shù)，更適合軟開關(guān)

? 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)

? 最大工作結(jié)溫175℃? HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過測試

? 優(yōu)化柵氧工藝，提高可靠性，高可靠性鈍化工藝，優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計(jì)，降低高溫漏電流

? AEC-Q101

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