01 半導(dǎo)體光照產(chǎn)業(yè)項目

項目概況

本項目依托“中國半導(dǎo)體之父”張博士的技術(shù)支撐，于杭紹臨空經(jīng)濟(jì)一體化發(fā)展示范區(qū)紹興片區(qū)（紹興市柯橋區(qū)錢清街道錢清村）新增土地，新增建筑面積4.84 萬平方米，購置曝光機(jī)、烘烤機(jī)、蝕刻機(jī)、顯影機(jī)、光阻涂布機(jī)、清洗機(jī)等設(shè)備，年生產(chǎn)光罩 36000 片。

02 2英寸碳化硅MOSFET功率芯片生產(chǎn)線項目

項目概況

浙江芯科半導(dǎo)體有限公司總投資 100000 萬元，新征建設(shè)用地 38.81 畝，新增研發(fā)、測試及制造廠房等地上建筑面積 65715.57m2，新增地下建筑面積 3628.8m2，項目為計算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備研發(fā)制造外延制備實驗室和工藝共性平臺，用于研發(fā)及生產(chǎn) 2 英寸碳化硅 MOSFET 功率芯片產(chǎn)品，項目建成后達(dá)到年產(chǎn) 10 萬片 2英寸碳化硅 MOSFET 功率芯片的生產(chǎn)規(guī)模。

03 6英寸半導(dǎo)體特色工藝研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目

項目概況

項目總投資317698萬元，租用大橋鎮(zhèn)新大路 232號67651.32廠房，購置光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)、干法刻蝕機(jī)、濕法刻蝕機(jī)、離子注入、濺射機(jī)、PECVD、擴(kuò)散爐等設(shè)備，形成年產(chǎn)64萬片6英寸功率器件特色半導(dǎo)體的生產(chǎn)能力。

04 年產(chǎn)1.6億條引線框架生產(chǎn)項目

項目概況

建設(shè)單位已拍土地33248平方米，新建標(biāo)準(zhǔn)廠房、宿舍樓等建筑面積約76941.84平方米(廠房建設(shè)項目另行備案實施，本項目不再涉及),采用引線框架銅帶、氰化銀、氰化銀鉀等原材料，經(jīng)前清洗、壓膜、曝光、顯影蝕刻、電鍍、分切、后處理、檢測等技術(shù)或工藝，購置卷式自動清洗線、卷式自動貼膜機(jī)、卷式顯影蝕刻退膜機(jī)、各類電鍍生產(chǎn)線等國產(chǎn)設(shè)備；項目建成后，形成年產(chǎn)1.6億條引線框架的生產(chǎn)能力。本項目電鍍生產(chǎn)線僅用于對企業(yè)自身產(chǎn)品加工生產(chǎn)，不對外加工。

05 集成電路用半導(dǎo)體大硅片擴(kuò)建項目

項目概況

本項目將租用芯聯(lián)集成現(xiàn)有已建A2模組生產(chǎn)廠房閑置區(qū)域，建設(shè)一條月產(chǎn)0.5萬片的6/8英寸兼容碳化硅MOS芯片制造生產(chǎn)線，先形成6英寸碳化硅MOS規(guī)模化制造及技術(shù)的持續(xù)研發(fā)和產(chǎn)品積累，待國內(nèi)8英寸碳化硅襯底片和外延片具備批量供應(yīng)能力后，快速切換到8英寸，以實現(xiàn)碳化硅MOS產(chǎn)業(yè)化制造6英寸向8英寸快速轉(zhuǎn)移，本項目建成后將形成6/8英寸碳化硅晶圓6萬片/年的生產(chǎn)規(guī)模。

06 新建碳化硅封測建設(shè)項目

項目概況

擬在該地塊建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)廠房及配套設(shè)施，并購置碳化硅功率模塊生產(chǎn)線、碳化硅分立器件生產(chǎn)線等半導(dǎo)體封裝設(shè)備，實施新建碳化硅封測建設(shè)項目。

07 集成電路用半導(dǎo)體大硅片擴(kuò)建項目

項目概況

企業(yè)投資10億元，新建生產(chǎn)廠房，總建筑面積1.448萬平方米。項目引進(jìn)集成電路封裝測試生產(chǎn)線，同時配置空壓機(jī)、冷水機(jī)組等輔助配套設(shè)施，新增就業(yè)人1000余人，年開工300天，三班制生產(chǎn)，主要從事傳感器、存儲器、CPU等器件的封裝和測試。形成年產(chǎn)100億片集成電路的封裝測試生產(chǎn)規(guī)模。

08 年產(chǎn)600萬片半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板技改項目

項目概況

企業(yè)擬投資60000萬元，租用位于金華金東區(qū)江東鎮(zhèn)金獅路828號天邁控股股份有限公司現(xiàn)有閑置廠房，引進(jìn)DPC直接鍍銅生產(chǎn)線，從事陶瓷線路基板的生產(chǎn)加工，建成后可形成年產(chǎn)600萬片半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板的生產(chǎn)能力。

09 半導(dǎo)體基板300萬片生產(chǎn)建設(shè)項目

項目概況

項目不新增土地，利用姜賢路 385 號內(nèi)公司廠房一面積 2950 平方米。項目擬采購高端研磨機(jī)、新型全自動拋光機(jī)、高速多線切割機(jī)等設(shè)備，項目達(dá)產(chǎn)后實現(xiàn)年產(chǎn)超瓷晶手機(jī)屏組件 1700 萬片和半導(dǎo)體基板 300 萬片。

10 FCBGA封裝基板項目

項目概況

本項目分三期建設(shè)，一期建設(shè)內(nèi)容為 1#廠房、宿舍一、廢水和廢液處理設(shè)施、危化品庫、危廢庫等，年產(chǎn) 18.72 萬片 FCBGA 高端載板的生產(chǎn)及配套設(shè)施；二期建設(shè)內(nèi)容為研發(fā)樓、年產(chǎn) 9.36 萬片 FCBGA 高端載板的生產(chǎn)及配套設(shè)施；三期建設(shè)內(nèi)容為 2#廠房、年產(chǎn) 28.08 萬片 FCBGA 高端載板的生產(chǎn)及配套設(shè)施。

11 半導(dǎo)體高功率元器件生產(chǎn)和研發(fā)二期擴(kuò)產(chǎn)項目

項目概況

企業(yè)租賃海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)海寧宏廈裝飾新材料科技有限公司廠房 50000 平方米，總投資 55000 萬元，引進(jìn)氮化鋁預(yù)氧化爐（進(jìn)口），燒結(jié)爐（國產(chǎn)）、真空濺鍍線（國產(chǎn)）、填孔電鍍線（國產(chǎn)）、激光切割機(jī)（國產(chǎn)）等設(shè)備。投產(chǎn)后形成年產(chǎn)雙面氧化鋁覆銅陶瓷基板 1680 萬片、單面氧化鋁覆銅陶瓷基板1560 萬片、氮化鋁覆銅陶瓷基板 240 萬片、高附加值氮化鋁覆銅陶瓷基板 6 萬片、銅板（副產(chǎn)）356.18 噸的生產(chǎn)能力。

12 年產(chǎn)60萬套IGBTHPD及5萬套SiC功率模塊技改項目

項目概況

本次一期工廠項目總投資 31355.61 萬元，建設(shè)兩條 IGBTHPD 生產(chǎn)線和一條SiC生產(chǎn)線，年產(chǎn) 60 萬套 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）HPD 功率模塊和5 萬套SiC功率模塊。

審核編輯 黃宇