在多元化的市場中，我們經常會遇到多種基于不同原理設計的磁編碼器芯片，這些芯片如霍爾效應、AMR（各向異性磁阻）、TMR（隧道磁阻）以及GMR（巨磁阻）等，它們在結構上各有千秋，但在實際應用中，這些磁編碼器芯片的最終電氣輸出參數在很多情況下都是類似的。然而，在挑選與其相匹配的磁鐵時，情況卻大相徑庭。

首先我們從磁鐵看，不難發現磁場的強度并非簡單地隨著與磁鐵距離的增加而呈線性遞減。實際上，這種減弱的過程更為復雜。在接近磁鐵的初期階段，磁場的減弱可能是較為平穩和均勻的，然而，當距離增加到某個特定的臨界值時，磁場的強度將會出現一個明顯的拐點，進而以更加陡峭的速率直線下降。這種變化模式揭示了磁場與距離之間非線性的復雜關系。

然后我們再從芯片的原理看。如AS5600SD3012AS5045等霍爾效應芯片主要利用磁場變化對電流的影響來工作，因此它對磁鐵的磁場均勻性和穩定性有著較高的要求，

SD2315 MT6816等AMR芯片則基于電阻率隨磁場方向變化而變化的原理，對磁場非常敏感工作在飽和磁場中，對磁鐵和安裝要求相對低些。而TLE5012D等GMR原理的磁編碼器芯片對 垂直磁場和平行磁場都可以感應，所以有時侯可以離軸應用選擇磁環，但是就是因為靈敏所以當多圈編碼器使用時需要做磁隔離來保護。

根據以上特點我們可以總結：

1、都可以使用徑向充磁的磁鐵。

2、霍爾原理推薦N35 6*2.5的磁鐵，默認情況下距離不要太遠1mm±0.2mm,再大的磁鐵效果未必會太好。

3、AMR GMR原理的磁編，磁鐵直徑可以更大些，比如D8或者D10 等，而且距離可以到2mm.

4、中空磁環應用時，霍爾原理的磁極寬度一般會有要求，可以參考對應的霍爾盤距離。而GMR或者AMR原理的 通常是單對極的磁環。
審核編輯 黃宇