在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

1200V GaN又有新玩家入場(chǎng),已進(jìn)入量產(chǎn)

Hobby觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友 ? 作者:梁浩斌 ? 2024-07-31 01:06 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近,又有國(guó)內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日,宇騰科技在社交平臺(tái)上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基GaN功率器件工作電壓達(dá)到1200V,已進(jìn)入量產(chǎn)階段并通過(guò)可靠性測(cè)試。

1200V藍(lán)寶石基GaN器件

據(jù)介紹,目前宇騰科技的1200V GaN功率器件已量產(chǎn)四種規(guī)格的型號(hào),包括150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A和50mΩ/30A。另外25mΩ/60A規(guī)格的產(chǎn)品目前正在開發(fā)測(cè)試中,預(yù)計(jì)2024年Q4實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

公司表示,這一突破證明藍(lán)寶石基GaN在功率器件市場(chǎng)具有巨大潛力,能夠?yàn)?a href="http://www.xsypw.cn/v/tag/293/" target="_blank">新能源汽車領(lǐng)域帶來(lái)更高的性能、更低的成本和更長(zhǎng)的續(xù)航。相較于硅基GaN,藍(lán)寶石基GaN提供了更高的電絕緣性能,這使得藍(lán)寶石基GaN功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)超過(guò)1200V的關(guān)態(tài)擊穿電壓,同時(shí)保持了器件的高電子遷移率和低電阻特性。

目前GaN功率器件普遍基于硅襯底,主要原因是硅片成本低、晶體質(zhì)量高、尺寸大、導(dǎo)電、導(dǎo)熱性好,熱穩(wěn)定性好等。不過(guò),由于硅和氮化鎵之間的熱失配,也就是熱膨脹系數(shù)相差大,和晶格失配很大,這種低適配性導(dǎo)致硅襯底上無(wú)法直接長(zhǎng)氮化鎵外延層,需要長(zhǎng)多道緩沖層來(lái)過(guò)渡,因此外延層質(zhì)量水平就比碳化硅基差不少,良率也比較低,大約為60%。

因此在消費(fèi)電子領(lǐng)域,硅基GaN器件迅速在充電頭領(lǐng)域普及,核心原因除了高頻性能之外,還有快速下降的成本。

當(dāng)然也有基于碳化硅襯底的GaN功率器件,不過(guò)主要用于射頻領(lǐng)域和光電領(lǐng)域。而基于藍(lán)寶石襯底GaN功率器件,目前也有PI、Transphorm等國(guó)際大廠在堅(jiān)持這條路線。藍(lán)寶石襯底的優(yōu)勢(shì)是穩(wěn)定性強(qiáng),具有高絕緣性,所以會(huì)被用于制作高耐壓的功率器件。但同時(shí)它也有缺點(diǎn),比如與氮化鎵晶格失配和熱失配大、不導(dǎo)電、倒裝焊工藝復(fù)雜、價(jià)格昂貴且導(dǎo)熱性能差等。

各大廠商推出的高壓GaN產(chǎn)品

為了拓寬GaN功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域,業(yè)界目前也在積極開發(fā)更高耐壓的GaN器件。今年年初電子發(fā)燒友網(wǎng)就有報(bào)道,致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等合作攻關(guān),采用致能科技的薄緩沖層AlGaN/GaN外延片,基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺(tái),成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。

能華半導(dǎo)體在今年3月,發(fā)布了1200V 80mΩ/24A和180mΩ/10.8A兩款GaN器件,能夠在工業(yè)和汽車場(chǎng)景上應(yīng)用,并表示1700V的GaN功率器件也正在積極研發(fā)中。

2023年,目前已經(jīng)被瑞薩收購(gòu)的Transphorm公布了其1200V功率GaN器件的仿真模型和初步數(shù)據(jù),這款產(chǎn)品基于藍(lán)寶石基氮化鎵外延片制造,擁有70mΩ的導(dǎo)通電阻、±20 Vmax柵極穩(wěn)健性、低 4V柵極驅(qū)動(dòng)噪聲抗擾度、零QRR和3引腳TO-247封裝。

PI也在2023年推出了一款1250V的PowiGaN器件。值得一提的是,目前市場(chǎng)上1200V及以上的GaN功率器件均是基于藍(lán)寶石襯底,證明目前行業(yè)高耐壓GaN功率器件的技術(shù)路線上選擇正在趨同。

小結(jié):

在電動(dòng)汽車800V高壓逐漸成為主流的今天,GaN功率器件達(dá)到1200V,將會(huì)有更大的上車機(jī)會(huì)。除此之外,在儲(chǔ)能、光伏、工業(yè)等領(lǐng)域,可能會(huì)有更大的市場(chǎng)空間,相信很快我們能夠在汽車領(lǐng)域看到更多GaN驅(qū)動(dòng)的部件出現(xiàn)。



聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1770

    瀏覽量

    90436
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    1935

    瀏覽量

    73411
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

    1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?665次閱讀
    三菱電機(jī)<b class='flag-5'>1200V</b>級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

    本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結(jié)構(gòu),并通過(guò)可以控制
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:59 ?533次閱讀
    深度了解第8代1800A/<b class='flag-5'>1200V</b> IGBT功率模塊

    瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證

    認(rèn)證;同時(shí),瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn),后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。
    的頭像 發(fā)表于 06-24 09:13 ?813次閱讀
    瞻芯電子第三代<b class='flag-5'>1200V</b> 13.5mΩ SiC MOSFET通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證

    Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:34 ?940次閱讀

    先導(dǎo)中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品

    在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導(dǎo)中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實(shí)力,推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 14:25 ?609次閱讀

    1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120SA數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120SA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-10 18:05 ?2次下載

    1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-10 18:02 ?0次下載

    1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-10 17:16 ?0次下載

    1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-10 17:14 ?0次下載

    1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120HE數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120HE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-10 17:11 ?0次下載

    1200V 25A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 25A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-10 16:59 ?0次下載

    1200V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-10 15:23 ?0次下載

    安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

    安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
    的頭像 發(fā)表于 03-28 10:01 ?1372次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

    Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

    全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽(yáng)能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
    的頭像 發(fā)表于 03-06 11:43 ?851次閱讀

    初創(chuàng)公司突然倒閉,垂直GaN量產(chǎn)進(jìn)展如何?

    于2017年,專注于垂直GaN器件的研發(fā)和生產(chǎn),成立以來(lái)獲得了紐約州合計(jì)超過(guò)1億美元的資助,并擁有一家晶圓廠。 ? 值得一提的是,NexGen去年還有多項(xiàng)重大進(jìn)展,包括他們?cè)谀瓿跣?b class='flag-5'>已開始發(fā)運(yùn)首批700V
    的頭像 發(fā)表于 02-07 00:08 ?7832次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 欧美性色xo影院在线观看| 美女视频一区二区三区在线| 日本不卡一区在线| 日韩在线三级| 亚洲第一综合| 亚洲色图27p| 日本特黄特色| 停停五月天| 双性受粗大撑开白浊| 日本三级网站在线线观看| 午夜影视在线视频观看免费| 六月激情丁香| 日本污视频网站| 天天躁狠狠躁夜夜躁| 青青草99热久久| 看逼网址| 大量国产后进翘臀视频| 亚洲国产精品乱码一区二区三区| 狠狠色噜噜狠狠色综合久| 国产精品久久久久天天影视| 亚洲免费视频在线观看| 国产国语videosex另类| 免费又黄又硬又大爽日本| 日本网站免费观看| 深夜视频在线| 一品毛片| 最新免费jlzzjlzz在线播放| 看全色黄大色大片免费久久 | 日本不卡一区二区三区视频 | 五月综合色啪| 国产精品久久久久久吹潮| 久久夜色撩人精品国产| 天天看天天爽| 综合激情五月婷婷| 高清色| 在线观看亚洲一区| 久久狼人综合| 简单视频在线播放jdav| 免费视频淫片aa毛片| 国产精品久久久久久久免费大片| 天堂网2018|