本文將介紹第四個主題，也是本系列文章的最后一篇“通過三相逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率”。這次是通過仿真來進行效率比較的。

逆變電路的種類和通電方式

三相調制逆變電路的基本工作

通過雙脈沖測試比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的損耗（實際測試結果）

通過三相調制逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率（仿真）

通過三相調制逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率（仿真）

繼上一篇中通過雙脈沖測試進行損耗比較的內容之后，本文中我們將對本系列文章的評估對象——三相調制逆變電路中的效率進行比較。MOSFET與雙脈沖測試中使用的產(chǎn)品型號一樣，即PrestoMOS? 和普通的SJ MOSFET 。這次是通過仿真來進行效率比較的。圖1為仿真電路。

圖1 三相逆變器的仿生電路圖

仿真條件是根據(jù)雙脈沖測試電路中所用的條件進行了如下設置：

1）柵極驅動電壓VGS：0V to 12V

2）電源電壓Vin：280Vdc

3）電感LU、LV、LW：8mH

4）開關頻率fsw：5kHz

5）柵極電阻RG(on)：根據(jù)器件進行變更（為了使導通的di/dt達到100A/μs）
? PrestoMOS? R6030JNx：60Ω（并聯(lián)3個180Ω電阻）
? R6030KNx：180Ω

6）柵極電阻RG(off)：22Ω

7）輸出功率POUT：100W、300W、500W、700W、1000W

圖2為仿真得到的效率。圖3為仿真過程中1個MOSFET的損耗。

圖2 效率結果（仿真結果）

圖3 1個MOSFET的損耗（仿真結果）

從結果可以看出，PrestoMOS? R6030JNx（紅線）的效率更高，其優(yōu)異的反向恢復特性是非常有助于提高效率的。另外，關于損耗，當輸出功率為1000W時，1個MOSFET的損耗改善了0.5W，而使用6個MOSFET時，這些MOSFET加起來可以改善3W的損耗。