近日，長飛先進半導體有限公司（以下簡稱“長飛先進”）與懷柔實驗室在北京聯合舉辦了碳化硅項目科技成果合作轉化意向簽約儀式，標志著雙方在推動碳化硅功率器件先進技術研發及成果轉化方面邁出了堅實的一步。此次合作不僅是對雙方技術實力與戰略眼光的認可，更是對全球能源綠色低碳轉型和可持續發展目標的有力支持。

懷柔實驗室，作為國家戰略科技力量的核心成員，憑借其獨特的新型舉國體制優勢，深耕能源領域，致力于戰略性、基礎性、前瞻性的科技創新。其研究方向緊密貼合國家重大需求，為能源技術的突破與產業升級提供了強大的智力支撐和平臺保障。

長飛先進，作為國內碳化硅功率半導體領域的先行者，自創立以來便專注于該領域的研發與制造，是國內最早具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測完整產業鏈的IDM企業之一。公司憑借深厚的技術積累和強大的生產能力，已成功推出涵蓋650V至3300V電壓范圍的SiC SBD（肖特基勢壘二極管）和SiC MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）系列產品，其產能規模在國內同行業中名列前茅，展現出強勁的市場競爭力和廣闊的發展前景。

此次合作，雙方將充分發揮各自優勢，共同探索碳化硅功率器件的前沿技術，加速科技成果的轉化與應用。通過深度合作，雙方旨在推動碳化硅功率器件在新能源汽車、智能電網、工業控制等關鍵領域的廣泛應用，助力能源系統的高效、清潔、智能化升級，為實現碳達峰、碳中和目標貢獻力量。

展望未來，長飛先進與懷柔實驗室的攜手合作，必將在碳化硅功率器件領域掀起新的技術革命和產業浪潮，共同開創綠色低碳、可持續發展的美好未來。