一、碳化硅功率器件簡介
碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅功率器件具有更高的禁帶寬度、更高的臨界擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率和更高的飽和電子漂移速度等優(yōu)異特性,這使得它們在電力電子領(lǐng)域具有極大的發(fā)展?jié)摿蛻?yīng)用價值。
二、碳化硅功率器件的優(yōu)勢
1.高禁帶寬度:碳化硅的禁帶寬度約為3.26eV,是硅的三倍,這使得SiC器件能夠在更高的溫度下穩(wěn)定工作,不容易受到高溫環(huán)境的影響。
2.高擊穿電場:碳化硅的擊穿電場強(qiáng)度是硅的十倍,這意味著SiC器件能夠承受更高的電壓而不會擊穿,非常適合高壓應(yīng)用。
3.高熱導(dǎo)率:碳化硅的熱導(dǎo)率比硅高3倍,可以更有效地散熱,從而提高功率器件的可靠性和壽命。
4.高電子漂移速度:碳化硅的電子飽和漂移速度比硅高兩倍,這使得SiC器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)更佳。
三、碳化硅功率器件的分類
根據(jù)不同的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用,碳化硅功率器件可以分為以下幾類:
1.SiC二極管:主要包括肖特基二極管(SBD)和PIN二極管。SiC肖特基二極管具有低正向壓降和快速恢復(fù)特性,適用于高頻和高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
2.SiCMOSFET:是一種電壓控制型功率器件,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于逆變器、電動汽車、開關(guān)電源等領(lǐng)域。
3.SiCJFET:具有高耐壓和高開關(guān)速度的特點,適用于高壓、高頻的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
4.SiCIGBT:結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通電阻特性,適用于中高壓的電源變換和電機(jī)驅(qū)動。
四、碳化硅功率器件的應(yīng)用
1.電動汽車(EV):在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)中,SiC器件可以大幅提高電機(jī)控制器和逆變器的效率,降低功率損耗,提高續(xù)航里程。
2.可再生能源:在太陽能和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中,SiC功率器件用于逆變器,可以提高能源轉(zhuǎn)換效率,降低系統(tǒng)成本。
3.工業(yè)電源:在工業(yè)電源系統(tǒng)中,SiC器件可以提高功率密度和效率,降低體積和重量,提升系統(tǒng)性能。
4.電網(wǎng)和輸配電:在高壓直流輸電(HVDC)和智能電網(wǎng)中,SiC功率器件可以提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗,提升電力傳輸?shù)目煽啃院头€(wěn)定性。
5.航空航天:在航空航天領(lǐng)域,SiC器件能夠在高溫和高輻射環(huán)境中穩(wěn)定工作,適用于衛(wèi)星、電源管理等關(guān)鍵應(yīng)用。
五、碳化硅功率器件的市場前景
隨著對高效能和高可靠性功率器件需求的不斷增加,碳化硅功率器件的市場前景非常廣闊。以下是一些市場趨勢和預(yù)測:
1.需求增長:電動汽車、可再生能源和工業(yè)電源的快速發(fā)展,推動了對高性能功率器件的需求,SiC功率器件市場將持續(xù)增長。
2.技術(shù)進(jìn)步:隨著碳化硅材料和制造工藝的不斷進(jìn)步,SiC功率器件的性能和成本將進(jìn)一步優(yōu)化,推動其在更多應(yīng)用領(lǐng)域的普及。
3.政策支持:各國政府對綠色能源和高效電力電子技術(shù)的政策支持,將進(jìn)一步促進(jìn)SiC功率器件的市場發(fā)展。
六、碳化硅功率器件的挑戰(zhàn)與未來
盡管碳化硅功率器件具有諸多優(yōu)勢和廣闊的市場前景,但其發(fā)展和應(yīng)用仍面臨一些挑戰(zhàn):
1.成本較高:目前,碳化硅材料和制造工藝的成本較高,限制了其大規(guī)模應(yīng)用。但隨著技術(shù)的進(jìn)步和生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大,成本有望逐步降低。
2.技術(shù)成熟度:相對于傳統(tǒng)硅基功率器件,碳化硅功率器件的制造工藝和技術(shù)成熟度還有待提高,需要進(jìn)一步的研發(fā)和優(yōu)化。
3.可靠性和壽命:在某些應(yīng)用中,SiC器件的可靠性和壽命需要進(jìn)一步驗證和提升,以滿足高要求的應(yīng)用需求。
七、結(jié)論
碳化硅功率器件作為新一代功率半導(dǎo)體器件,憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用前景,正在迅速發(fā)展。盡管面臨一定的挑戰(zhàn),但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場需求的增加,SiC功率器件將在電動汽車、可再生能源、工業(yè)電源和電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮越來越重要的作用。未來,隨著成本的降低和技術(shù)的成熟,碳化硅功率器件有望在更多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,為實現(xiàn)更高效、更可靠的電力電子系統(tǒng)提供強(qiáng)有力的支持。
無錫國晶微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是寬禁帶第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應(yīng)管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機(jī)集成電路等產(chǎn)品芯片設(shè)計、生產(chǎn)與銷售并提供相關(guān)產(chǎn)品整體方案設(shè)計配套服務(wù),總部位于江蘇省無錫市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設(shè)有研發(fā)中心和銷售服務(wù)支持中心及辦事處。
公司具有國內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù),使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。
公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對標(biāo)國際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到國際先進(jìn)水平,應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領(lǐng)域。由于其具有高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關(guān)損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現(xiàn)設(shè)計用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運行。
特別在高低壓光耦半導(dǎo)體技術(shù)方面更是擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊。在國內(nèi)創(chuàng)先設(shè)計開發(fā)了28nm光敏光柵開關(guān)PVG芯片技術(shù),并成功量產(chǎn)應(yīng)用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrmsSOP超小封裝及3750kVrms隔離增強(qiáng)型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品,另包括200VSOIMOS/LIGBT集成芯片、100VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機(jī)等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機(jī)構(gòu)的新產(chǎn)品認(rèn)定。
公司核心研發(fā)團(tuán)隊中大部分工程師擁有碩士及以上學(xué)位,并有多名博士主持項目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)管理的規(guī)范體系,在電路設(shè)計、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計、可靠性設(shè)計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術(shù),擁有多項國際、國內(nèi)自主發(fā)明專利。
“國之重器,從晶出發(fā),自強(qiáng)自主,成就百年”是國晶微半導(dǎo)體的企業(yè)目標(biāo),我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務(wù),我們真誠期待與您攜手共贏未來。
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原文標(biāo)題:碳化硅功率器件的簡介與應(yīng)用!
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