Matlab仿真

注意：由于采用了1/4周期存儲，要求整個周期的數值是中心對稱的，半個周期的數值是軸對稱的。這就意味著采樣點中不應該有0值得存在。

Matlab仿真——ROM表存儲數據

%% ROM產生 （無符號數）

ROM_N=2^10; %ROM表深度

DATA_L=14; %ROM位寬

t=1:ROM_N;

y=（2^DATA_L-1）*（sin（2*pi*（t-0.5）/ROM_N/4））;%-0.5保證對稱性

ROM_DATA=round（y）;

Matlab仿真——DDS程序（請原諒我沒有用case……）

%% 正弦波dds產生

F_CLK=10*10^6; %時鐘頻率10M

PINC_IN_L=32; %增量長度

DDS_CLK=10*10^3; %dds輸出頻率10k

PHASE_IN=0; %初始相位

pinc=round（DDS_CLK*2^PINC_IN_L/F_CLK）; %相位增量

SIM_L=4000; %仿真長度

phase=PHASE_IN+pinc*（0:SIM_L-1）;

addr=mod（（floor（phase/2^PINC_IN_L*ROM_N）），ROM_N*4）;

flag=floor（addr/ROM_N）;

dds_out=1:SIM_L;

for i=1:SIM_L

if（flag（i）==0）

dds_out（i）=ROM_DATA（addr（i）+1）;

else if（flag（i）==1）

dds_out（i）=ROM_DATA（2047-addr（i）+1）;

else if（flag（i）==2）

dds_out（i）=-ROM_DATA（addr（i）-2048+1）;

else

dds_out（i）=-ROM_DATA（4095-addr（i）+1）;

end

end

end

end

plot（dds_out）;

3.DDS的解釋

Xilinx的DDS核的User Guide中隊DDS做了很詳細的說明，本節不再重復此內容，本節將敘述一種全新的DDS理解方式。這種理解方式解決了頻率控制字長于ROM表深度時DDS的理解上的問題。

連續還是離散？

連續還是離散，在于我們用什么眼光去看待。如下圖所示，我們可以理解藍色的圖是離散的，而紅色的線是連續的。然而，對于我們要獲取的信息而言，這兩幅圖是完全沒有區別的。抽樣定理中有理想抽樣和平頂抽樣（采樣保持電路）之分，然而在頻域效果上，是并沒有很大區別的。

ROM表存儲的是連續的數值

按照上面的理論，可以認為ROM表中存儲的是正弦信號的平頂采樣結果。如下圖所示（一個全周期的ROM表，對稱性滿足1/4周期存儲的要求）

上圖的頻譜在信號與系統中有提及，上述波形的形成方式可以認為是在乘以周期為T的沖擊函數，之后卷積一個寬度為T的窗函數。對應可以求得其頻域。（具體可參考平頂抽樣）

頻率控制字

頻率控制字控制對上述的階梯函數的采樣，如果這樣理解的話，就沒有所謂的相位截取取ROM表的值的疑惑了。頻譜圖能夠清晰的表現這一過程，然而由于blog表達不便，此處不做詳細說明。

此處能夠解釋DDS產生的雜散。

4.Verilog實現

老師教導我們，Verilog和Matlab代碼應該是完全一致的，也就是說程序的思路，命名是一樣的。但是下面的程序沒有做到一致性……

`timescale 1ns / 1ps

module DDS_10k（

input clk_10M，

input rst，

output［13:0］ D_SIN，

output［13:0］ D_COS

）;

parameter pinc=32‘d4294967; //10k

reg［31:0］ addr_temp=32’d0;

reg［9:0］ addra，addrb;

reg mark_a，mark_b;

always@（posedge（clk_10M）） //復位

begin

if（rst==0）

addr_temp《=32‘d0;

else

addr_temp《=addr_temp+pinc;

end

always@（posedge（clk_10M）） //1/4周期控制

begin

case（addr_temp［31:30］）

2’b00：

begin

addra《=addr_temp［29:20］;

mark_a《=0;

addrb《=~addr_temp［29:20］;

mark_b《=0;

end

2‘b01：

begin

addra《=~addr_temp［29:20］;

mark_a《=0;

addrb《=addr_temp［29:20］;

mark_b《=1;

end

2’b10：

begin

addra《=addr_temp［29:20］;

mark_a《=1;

addrb《=~addr_temp［29:20］;

mark_b《=1;

end

2‘b11：

begin

addra《=~addr_temp［29:20］;

mark_a《=1;

addrb《=addr_temp［29:20］;

mark_b《=0;

end

endcase

end

//ROM表讀取

ROM_SIN_1k18 rom_dds （

.clka（clk_10M）， // input clka

.addra（addra）， // input ［9 ： 0］ addra

.douta（D_SIN［12:0］）， // output ［12 ： 0］ douta

.clkb（clk_10M）， // input clkb

.addrb（addrb）， // input ［9 ： 0］ addrb

.doutb（D_COS［12:0］） // output ［12 ： 0］ doutb

）;

reg sin_mark_temp;

reg cos_mark_temp;

assign D_SIN［13］=sin_mark_temp;

assign D_COS［13］=cos_mark_temp;

//此處ROM沒有添加register，因此輸出和地址有一個周期的延時，故Mark也要有一周期延時

always@（posedge（clk_10M））

begin

sin_mark_temp《=mark_a;

cos_mark_temp《=mark_b;

end