以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料被認為是當今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力，已在新能源汽車、光儲充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費電子等領域展現(xiàn)出較高應用價值，并具有較大的遠景發(fā)展空間。以碳化硅為例，根據(jù)咨詢機構報告，預估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元（約663.53億人民幣）。在萬年芯等企業(yè)看來，各國“國家隊”的出手，正是為第三代半導體產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)健發(fā)展伸出援手。

“國家隊”出手，細看各國對碳化硅/氮化鎵政策

早在2021年，國內(nèi)就出臺了一系列相關政策，全面加大了對第三代半導體產(chǎn)業(yè)的支持和投入力度（如圖所示）。而近期，河北、陜西等省發(fā)布了第三代半導體相關支持政策，表明各地進一步加大對第三代半導體產(chǎn)業(yè)的扶持力度。其中，河北印發(fā)的《關于支持第三代半導體等5個細分行業(yè)發(fā)展的若干措施》，包括在第三代半導體關鍵芯片與器件、襯底和外延、光刻膠等領域組織實施一批技術改造項目，積極爭取將在建和擬建第三代半導體重點項目納入國家“十四五”重大項目儲備庫。陜西則印發(fā)《陜西省培育千億級第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群行動計劃》，將重點開展第三代半導體材料工藝技術與核心產(chǎn)品攻關，打通晶體材料高效生長、器件設計制造等產(chǎn)業(yè)發(fā)展關鍵節(jié)點，打造千億級第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群。

國際方面，美國政府高度重視半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，特別是第三代半導體領域。美國通過《芯片與科學法案》（Chips for America Act）等立法，提供資金支持和稅收優(yōu)惠，以促進本土半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。此外，美國還通過國防高級研究計劃局（DARPA）等機構，支持第三代半導體材料的研究和應用。歐盟通過“地平線2020”計劃（Horizon 2020）等項目，支持半導體材料的研究和創(chuàng)新。歐盟還通過“歐洲共同利益重要項目”（IPCEI）等機制，提供資金支持，促進成員國在第三代半導體領域的合作和創(chuàng)新。此外，日本通過“新經(jīng)濟成長戰(zhàn)略”等政策，韓國通過“半導體超級大國戰(zhàn)略”等政策，德國政府通過“高科技戰(zhàn)略”等政策，支持半導體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，其中包括促進第三代半導體材料的發(fā)展。目前，全球各國都在從政策方面持續(xù)對第三代半導體產(chǎn)業(yè)進行引導和扶持，有助于推動第三代半導體在各個領域的進一步滲透。

“惠及”上下游，加碼三代半產(chǎn)業(yè)扶持

除政策引導和扶持外，在資金補貼方面，各國對于第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展投入較大，且正在不斷加碼。

這些補助體現(xiàn)了各國政府對第三代半導體產(chǎn)業(yè)重要性的認識，以及確保本國在全球第三代半導體供應鏈中保持競爭力的決心。通過這些補助，各國旨在推動第三代半導體技術升級、產(chǎn)能擴大。

除此之外，各國“國家隊”在多個方面支持第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商，參與這場日益火熱的全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)爭奪戰(zhàn)。“國家隊”出手，在壯大本國第三代半導體產(chǎn)業(yè)實力的同時，有望帶動更多本國廠商加入投建第三代半導體產(chǎn)業(yè)的大軍。在政策扶持和資金支持雙重力量推動下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)加速發(fā)展態(tài)勢，從項目落地實施方面可窺見一斑。僅2024年上半年，國內(nèi)就有數(shù)十個碳化硅相關項目披露新進展。而在技術研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面，通過產(chǎn)學研合作，國家主導建設的科研機構和高校助力三代半相關廠商加速實現(xiàn)技術升級迭代和產(chǎn)業(yè)化。

萬年芯：三代半企業(yè)應專注研發(fā)，迎接政策

各國對于三代半產(chǎn)業(yè)的引導和扶持，體現(xiàn)了對相關領域的重視，有助于加速技術突破。同時，國家的重視和支持，還能夠帶動地方政府和民間資本的投入，形成國家引導、地方支持、民間投資的多元化投融資格局。在萬年芯看來，這也為國內(nèi)外眾多三代半企業(yè)打了一劑強心針。

關于碳化硅功率器件，萬年芯研發(fā)包含SiC PIM模塊、智能功率模塊（IPM）、半橋SiC模塊和超低內(nèi)阻SiC MOSFET等。SiC IPM模塊系列產(chǎn)品，封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，內(nèi)置性能強大的驅(qū)動芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片，電壓650V~1200V，功率300~5000W，適用于驅(qū)動電機的變頻器和各種逆變電源；超低內(nèi)阻SiC MOSFET系列產(chǎn)品，采用自主研發(fā)的框架結構，650V系列產(chǎn)品最低Rdon為5毫歐，1200V系列產(chǎn)品最低Rdon為7毫歐；TO247-4PHC封裝具有強大的過流能力（持續(xù)電流200A）、耐壓能力（3300V），適用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車等行業(yè)。

江西萬年芯微電子有限公司成立于2017年，是一家專業(yè)從事集成電路、存儲芯片、傳感器類產(chǎn)品、大功率模塊及功率器件等封裝測試研發(fā)的高新科技企業(yè)。目前已獲得國內(nèi)專利134項，是國家專精特新“小巨人”企業(yè)、“國家知識產(chǎn)權優(yōu)勢企業(yè)”，擁有國家級博士后工作站，為海關AEO高級認證企業(yè)，將堅持以實力推動科技創(chuàng)新的高質(zhì)量發(fā)展。

整體來看，各國引導和扶持第三代半導體產(chǎn)業(yè)，不僅能夠推動產(chǎn)業(yè)的技術進步和產(chǎn)業(yè)升級，還能夠在保障產(chǎn)業(yè)鏈安全、提升國際競爭力等方面發(fā)揮重要作用。隨著各國加大扶持力度，第三代半導體產(chǎn)業(yè)的國際競爭將加劇。