150V Gen.3 SGT MOSFET系列產品采用全新屏蔽柵溝槽技術，特征導通電阻Rsp（導通電阻Ron*芯片面積AA）相對上一代降低43.8%，具備更高的電流密度和功率密度。同時，二極管反向恢復特性大幅優化，反向恢復電荷Qg相對上一代降低43%，更利于減小電路應用中的電壓、電流尖峰，增強電路系統穩定性。另外，從器件本身出發，通過設計優化，加強了柵極抗振蕩能力，使其更不易發生米勒振蕩，減少電路應用的開發時間和成本。全系產品的閾值電壓Vth相對上一代產品也做了提升，最大程度防止誤開啟現象。

150V Gen.3 SGT MOSFET系列產品廣泛適用于新能源汽車OBC、通信服務器、光伏儲能、不間斷電源UPS、電機驅動等領域，可提供TO-220、TO-263、TO-247、TOLL、DFN5x6等封裝形式。

產品型號

產品特點

◆超低特征導通電阻Rsp（導通電阻Ron*芯片面積AA）

◆ 極優品質因子FOM（導通電阻Ron*柵極總電荷Qg）

◆ 更高閾值電壓Vth，防止誤開啟

◆超低反向恢復電荷Qrr、超快反向恢復時間Trr

◆ 更低反向恢復電流Irrm

◆極高功率密度

◆更優抗振蕩能力

◆ 更強魯棒性

應用價值

◆ 在使用相同封裝的情況下，相對上一代產品，導通損耗降幅高達43%

◆ 根據應用的不同，采用150V Gen.3產品，可使用更小的封裝

◆ 針對并聯MOSFET以減少漏源導通電阻的應用，150V Gen.3可盡可能減少并聯MOSFET數量甚至避免并聯，所需空間更少，更具成本優勢

◆ 更快的二極管反向恢復能力，利于減小電路應用中的電壓尖峰、電流尖峰，對EMC特性和能效產生了積極影響

◆ 優化抗振蕩能力，相同外圍條件下，相對上一代產品更不易發生米勒振蕩，減少開發時間和成本

應用領域

◆ 新能源汽車OBC

◆ 通信服務器

◆ 光伏儲能

◆ 不間斷電源UPS

◆ 電機驅動

附：新潔能Gen.3 SGT MOSFET命名規則