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三星BSPDN技術引領芯片創新:尺寸縮減17%,能效提升15%

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 作者:網絡整理 ? 2024-08-26 09:46 ? 次閱讀

在近日舉行的西門子EDA論壇2024首爾站上,三星電子晶圓代工PDK開發團隊的高級副總裁Lee Sun-Jae向業界展示了其革命性的背面供電網絡(BSPDN)技術所帶來的顯著優勢。據Lee介紹,BSPDN技術在2nm工藝節點上的SF2Z設計中展現出卓越性能,相較于傳統的正面供電網絡(FSPDN)方式,實現了前所未有的突破。

該技術通過優化電路布局與供電機制,成功解決了長期困擾業界的電路壓降問題,不僅將芯片面積減少了約17%,還實現了能效約15%的顯著提升。更令人矚目的是,BSPDN技術還帶來了約8%的性能增強,為高性能芯片設計開辟了全新的可能性。

Lee Sun-Jae的分享無疑為半導體行業注入了一針強心劑,展示了三星電子在先進制程技術領域的深厚積累與創新能力。隨著BSPDN技術的逐步應用與推廣,預計將為全球芯片設計領域帶來更加高效、緊湊的解決方案,推動電子產品向更小、更快、更節能的方向發展。

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