隨著手機攝影功能的日益增強和用戶對于拍攝體驗的不斷追求，中高端智能手機在攝像頭配置上進行了大量升級。為了豐富焦段、提升成像質量，攝像頭的數(shù)量不斷增加，這也使得供電方案成為了一個亟待解決的問題。

每個攝像頭模組都需要穩(wěn)定、可靠的多路電源支持，以確保拍攝時的清晰度和穩(wěn)定性。傳統(tǒng)的單路LDO供電方案在初期確實能夠滿足供電需求，但隨著攝像頭數(shù)量的攀升，其缺點也愈發(fā)明顯。單路LDO外圍不僅器件數(shù)量多，占板面積大，還增加了手機的制造成本，非常不利于市場競爭。

針對該問題，艾為電子推出一款4通道LDO PMIC——AW37004DNR，它集成了2路DVDD，2路AVDD，專為多個攝像頭供電設計，通過集成化設計，在節(jié)約成本的同時，還大大減少了外圍器件的數(shù)量，節(jié)省了內部空間，有效解決了當下手機布局面積緊張的問題。此外，AW37004DNR具有1MHz高速I2C接口，并且該芯片功能設置靈活，可配置輸出電壓、上電時序、輸出放電等，可滿足攝像頭模組的各種需求，是當前攝像頭傳感器應用的理想選擇。

AW37004DNR 產(chǎn)品介紹

- AW37004DNR主要參數(shù) -

VIN1供電電壓范圍：0.6V~2V

DVDD輸出電壓范圍：0.6V~1.8V

DVDD Dropout電壓：100mV@0.8A

DVDD驅動能力：1A (可通過I2C配置到1.3A)

VIN2供電電壓范圍：3V~5.5V

AVDD輸出電壓范圍：1.2V~4.3V

VIN2靜態(tài)電流：65μA

VIN2關機電流：0.25μA

AVDD Dropout電壓：98mV@0.3A

AVDD驅動能力：0.3A (可通過I2C配置到0.6A)

AVDD PSRR：92dB(Freq=1KHz)

AVDD Noise：10μVrms(IOUT=30mA)

封裝：DFN 2mm*2mm*0.75mm-10L package

圖1 AW37004DNR封裝信息

圖2 AW37004DNR典型應用圖

產(chǎn)品優(yōu)勢

1集成度高，面積小

AW37004DNR集成了2路DVDD，2路AVDD，與傳統(tǒng)的4個單路LDO相比，大大減少了所需的外圍元件，使得電路設計更加簡潔，外圍元件的減少，設計師在布局電路板時也能夠更加靈活，高效的利用空間。如圖，采用AW37004DNR的電路板方案相比使用四個單路LDO的方案，布局面積能夠減少約25%，物料數(shù)量減少一半。

圖4 采用AW37004DNR的電路板方案

與四個單路LDO的方案效果對比

2DVDD高負載電流、低輸入電壓

AW37004DR DVDD的負載電流最小1A，可通過I2C配置至1.3A ，高負載電流就意味著高驅動能力。在攝像頭模組中，高驅動能力使得系統(tǒng)有更快的啟動速度，更流暢的預覽和錄制體驗。高驅動能力能夠保證在高分辨率模式下，攝像頭模組能夠獲得穩(wěn)定的電源供應，從而實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸、高幀率的拍攝或復雜的圖像處理。另外，高驅動能力還能夠支持攝像頭模組在高像素密度下正常工作，避免因電流不足導致性能下降或故障。

但是，高分辨率和高像素密度可能會增加功耗，而DVDD采用N-MOSFET LDO架構以及不帶電荷泵的設計，在降低輸入電壓的同時提高效率，從而一定程度上降低了功耗，實現(xiàn)能效比的優(yōu)化。

3AVDD 高電源抑制比

攝像頭作為捕捉圖像的關鍵設備，對于電源的穩(wěn)定性有著極高的要求。紋波，即電源線上的微小波動，如果得不到有效抑制，會直接影響攝像頭的成像質量。AW37004DNR AVDD采用的P-MOSFET LDO架構，通過多級級聯(lián)電源的設計，顯著增強了紋波的抑制效果，而大的帶寬特性，更是讓AW37004DNR在應對各種頻率的干擾時表現(xiàn)出色。無論是高頻還是低頻的干擾信號，它都能進行有效處理，確保電源的穩(wěn)定性不受影響，下圖為AVDD的PSRR曲線。

圖5 AVDD的PSRR曲線

4I2C 配置各種參數(shù)

AW37004DNR具有1MHz高速I2C接口，通過I2C接口可輕松配置輸出電壓、上電時序、輸出放電等各種參數(shù)，以滿足各種工作需求。這種靈活性使得一顆PMIC LDO能夠覆蓋更多的應用場景，從而減少了因特殊需求而引入新元件的情況，簡化了物料管理，降低了開發(fā)難度，對于客戶而言，這無疑是一種極大的便利，使他們能夠更加高效地進行產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)。

總結

AW37004DNR是一款4通道集成線性穩(wěn)壓器，它包括2通道DVDD和2通道AVDD。DVDD采取N-MOSFET LDO架構，實現(xiàn)高負載電流和低工作電壓，AVDD采取P-MOSFET LDO架構，實現(xiàn)高電源抑制比。

基于這些優(yōu)異性能，AW37004DNR成為攝像頭模塊供電的理想選擇，確保攝像頭在各種工作環(huán)境下都能輸出高質量、低噪聲的圖像，為用戶帶來卓越體驗。