大型廠商的產品導入、存儲級內存（SCM）的新興應用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動非易失性存儲市場的增長。

新興非易失性存儲（NON-VOLATILE MEMORY， NVM）有利的市場環境

相變存儲（phase-change memory， PCM）、磁阻式隨機存儲（magnetoresistive random access memory， MRAM以及阻變式存儲（resistive random access memory， RRAM）等主要非易失性存儲技術已經有了較長的開發歷史。但是，由于種種因素，它們在利基市場的應用仍然有限。現有產品的存儲密度有限，新興NVM開拓廠商在高存儲密度產品導入上又有所延誤。新材料和新工藝步驟的引入，也帶來了制造挑戰。同時，主流存儲技術也在不斷的提高存儲密度、降低成本。最后，NVM市場也缺少一款殺手級應用來挑戰現有的動態隨機存儲（DRAM）和NAND閃存。

獨立存儲器市場供應鏈主要廠商

不過，市場上出現了一些有利因素將推動新興NVM市場進入快速增長軌道，這些因素包括：

- 新的存儲級內存細分市場的出現。這是工作存儲器和數據保存間系統架構中的另一種分級存儲器體系。旨在通過提升系統速度來降低延時。它將支持DRAM和NAND，并與之共存。

- 產業巨頭Intel在2017年為SCM應用，推出了PCM 3D XPoint存儲。Micron（鎂光）也將在2017年末推出3D XPoint存儲。

- 從2016年高于100萬美元的融資狀況來看，投資者對新興NVM市場仍非常樂觀。

TSMC（臺積電）、Samsung（三星）、GlobalFoundries（格羅方德）、UMC（聯華電子）以及SMIC（中芯國際）等大型代工廠商正在進入新興的NVM存儲市場。它們將在2018/2019年間為嵌入式MCU推出MRAM和RRAM技術。NVM由于能夠與CMOS技術兼容，因此是這些代工廠顯著提高存儲業務的極好機遇。

新興非易失性存儲的上市時間經常因為獨立存儲而延后

未來五年，SCM和嵌入式微控制器將引領新興NVM市場增長

2016~2022年，新興NVM市場的復合年增長率（CAGR）預計可達106%，市場規模到2022年將增長至39億美元。新的SCM分級和嵌入式MCU將驅動新興NVM市場增長。塑造一類新的存儲變化巨大，需要存儲生態系統中的所有廠商參與，開發各種配套的硬件和軟件。SCM將會被應用于企業級存儲和客戶端應用，隨后將進入移動應用領域。2017年初期，Intel針對SCM應用推出的XPoint存儲便是改變市場的重磅產品。

商業產品的性能比較

嵌入式MCU通常使用eflash NVM技術，但是該技術需要消耗大量的能耗，并且其擴展性在28nm節點開始變得成本太過高昂。隨著新興NVM近期的擴展進展，它將越來越多的應用于物聯網、可穿戴產品、智能卡及其它市場應用的低功耗MCU。得益于新興NVM技術的低功耗表現，它們將率先應用于40nm工藝節點，而后得益于其成本競爭力優勢，將應用于28nm節點，再然后將應用于22nm節點。TSMC、GlobalFoundries、UMC、SMIC以及Samsung等頂級代工廠商由于制造了全球大部分的MCU，必將驅動新興NVM的應用增長。

存儲芯片的擴展性和存儲密度影響了存儲的性能和成本，因此成為存儲選擇的主要評判標準。在這方面，本報告提供了清晰的存儲技術發展路徑圖，包括技術節點、芯片密度和成本。

新興NVM市場的發展趨勢

本報告介紹了新興NVM技術為什么以及如何在各個市場獲得越來越多的應用。本報告詳細剖析了兩個重要的細分市場。首先是獨立應用市場，包括企業級存儲SCM、客戶端SCM、大容量存儲、工業、運輸和消費電子等。其次是嵌入式應用，包括MCU、移動設備靜態RAM、高性能計算應用的SRAM快速緩沖存儲以及嵌入式NVM系統級芯片等。

新興NVM存儲的潛在應用、存儲密度和價格定位

新興NVM存儲獨立應用市場主要由PCM和RRAM驅動，嵌入式存儲市場則由MRAM和RRAM驅動

新興NVM市場主要由三種技術引領：PCM、RRAM和MRAM。在獨立應用市場，未來五年將主要集中在SCM，大型廠商的技術選擇現在已經非常清晰。Micron/Intel選擇了PCM。SK Hynix（SK海力士）和Sandisk（閃迪）/Western Digital（西部數據）則選擇了PCM和SCM應用的競爭者RRAM。Samsung得益于其針對3D NAND的垂直3D方案的兼容性，似乎也將傾向于RRAM。SCM市場最初將由PCM引領，但是，之后將由RRAM驅動。

新興NVM技術應用

對于嵌入式應用，不同新興NVM技術之間的競爭將更加激烈。不過，本報告預計根據應用要求的不同，多種技術解決方案將同時并存。TSMC、GloalFoundries、Samsung以及Sony等頂級代工廠商采用了STTMRAM。STTMRAM初期主要針對的是MCU eFlash市場的發展，隨后將在移動和高性能計算中替代SRAM。對于RRAM嵌入式應用，主要采用廠商為TSMC、UMC和SMIC。RRAM初期將主要面向低成本應用，如智能卡、物聯網和通用應用的嵌入式MCU。RRAM的最終目標將是在高性能MPU中替代3D NAND，實現在單片系統級芯片中的集成。PCM仍在參與競爭，STMicroelectronics（意法半導體）是該技術的主要推動者，它選擇了PCM作為汽車市場28nm節點的最佳新興NVM解決方案。

新興NVM市場供應鏈（樣刊模糊化）

本報告按應用、出貨量、Gbit、營收及晶圓數量細分，針對每種技術進行了市場預測。還綜述了主要的技術趨勢，以及主要廠商的重要技術發展動向。

新興NVM市場承載了廣泛的不同技術、業務模式及細分市場，尤其是在比較獨立應用和嵌入式應用時。由此，本報告詳細分析了不同供應鏈上的各級廠商，例如獨立應用市場和嵌入式應用市場中的集成器件制造商（IDM）、代工廠商以及新興NVM初創企業等，以及它們應用新興NVM技術的市場策略。

新興NVM產品上市時間

當前的一個重大技術改變是半導體NAND固態驅動替代硬盤驅動。未來的變革將是新興NVM的到來。本報告分析了供應鏈的動態變化，以深入了解當前每種應用及技術相關的主要市場廠商，以及隨著新興NVM的到來，市場競爭態勢將如何發展。本報告還特別分析了中國存儲市場的供應鏈，得益于中國政府的巨量資金支持計劃和巨大存儲需求，中國存儲市場正在快速發展。

存儲市場廠商的互相蠶食趨勢