Qorvo宣布推出一款全新的非對稱型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客戶在設計無線基站設備的過程中實現超高功效。該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運營成本。

因為 LDMOS 和 GaN-on-Si 與之相比，熱性能較差，客戶正越來越多地轉向使用 GaN-SiC，以大幅改善無線基站的性能、線性度和效率。QPD2731 通過預匹配分立式GaN-on-SiC 高電子遷移率晶體管（HEMT）實現這一轉變。目前提供樣片的這款新型放大器可在 2.5 至 2.7 GHz 的工作范圍內提供業內最高性能。

根據 Qorvo 之前發布的內容，通過標準的市售第三方 DPD 系統可實現 QPD2731 的線性化。

Qorvo 提供包含不同功率、電壓和頻率級別水平的廣泛的氮化鎵（GaN）分立式晶體管產品，采用裸片級和封裝級解決方案。