電子發燒友網報道（文/莫婷婷）近期，芯聯集成發布公告稱，公司收購控股子公司芯聯越州集成電路制造(紹興)有限公司（下稱“芯聯越州”）剩余72.33%股權，對應資產交易價格為58.97億元。


加強芯聯集成SiC MOSFET、模擬IC兩大增長曲線技術優勢

芯聯集成的主營業務為半導體集成電路芯片制造、封裝測試等，如今已經成為業內領先的集成電路晶圓代工企業之一。公司的主要四大技術方向為功率、MEMS、BCD、MCU。在產品結構上，芯聯集成原來的主要是IGBT、MOSFET、MEMS、模組，2023年新增SiC MOSFET、HVIC(BCD)、VCSEL三個產品線。如今，在七個產品線中，車規級半導體相關業務貢獻了近一半的營收。

芯聯越州具備硅基的生產能力，月產能到7萬片。公司還布局了SiC MOSFET、VCSEL（GaAs）以及功率驅動（高壓模擬IC）等更高技術平臺。SiC MOSFET、VCSEL是芯聯集成新增的產品線，未來有望集中資源，通過業務整合，擴大這兩大產品線的優勢。數據顯示，芯聯越州用于車載主驅6英寸SiC MOSFET的出貨量在去年至今年上半年排名第一。8英寸SiC MOSFET將在明年量產。

此外，芯聯越州掌握了國內稀缺的產品能力，打造了車規級BCD平臺。BCD技術最早是由歐美IDM廠商掌握。經過發展，國內部分企業也掌握了該技術，并持續迭代。芯聯越州是少數掌握高壓模擬IC生產能力的企業。

BCD工藝實現了在同一芯片上集成Bipolar（雙極性晶體管）、CMOS（互補金屬氧化物半導體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）三種芯片的突破。在提高芯片的綜合性能的同時，還降低了成本，增強了系統的可靠性，減少了電磁干擾。隨著汽車電子、工業控制、消費電子等應用場景對高電壓耐受、高集成度等需求的增長，BCD技術也在朝著高電壓、高密度、高集成度以及高功率等方向突破。

在模擬 IC 芯片領域，芯聯集成同樣具備優勢，今年上半年公司發布了數模混合嵌入式控制芯片制造平臺、高邊智能開關芯片制造平臺、高壓 BCD 120V 平臺、高壓 SOI BCD 平臺等四個車規級平臺。其55nm BCD 平臺已經完成平臺開發和可靠性驗證，關鍵客戶產品導入。

總體來看，芯聯集成收購芯聯越州有以下原因。一是戰略協同與資源整合。兩家企業的結合有利于在半導體技術、工藝等方面充分發揮協同效應，提升整體技術實力，由此拓展芯聯集成的市場份額。當前，SiC MOSFET和模擬IC業務已成為芯聯集成的第二和第三增長曲線，未來將進一步鞏固公司在該領域的綜合實力。在收購完成后，芯聯集成也將充分整合芯聯越州的資源，包括內部管理、工藝平臺、供應鏈等方面。

二是實現盈利。需要關注的是，芯聯集成和芯聯越州都屬于虧損狀態，且毛利率為負，接下來一年的發展非常關鍵。財報數據顯示，芯聯集成在今年上半年實現營收28.80億元，同比增長14.27%；歸母凈利潤虧損4.71億元，同比減虧57.53%。而芯聯越州2022年到今年上半年的歸母凈虧損分別約10.88億元、19.58億元、4.71億元。芯聯集成今年上半年的毛利率僅為-4.25%，芯聯越州的毛利率為-14.11%。何時實現盈利備受關注。

不過芯聯集成對芯聯越州的未來保持看好的態度，公司認為隨著芯聯越州業務量增加，產品結構不斷優化，將逐漸實現盈利。


“科八條”將刺激半導體并購市場，納芯微、希荻微先后發布收購公告

在并購市場清淡的當下，芯聯集成用將近60億元完成對芯聯越州的收購，成為年內最大的芯片并購。今年6月，中國證監會發布“科創板八條”，芯聯集成此次的收購案也成為“科創板八條”發布后首單收購未盈利資產的方案。

業內人士認為，在“科創板八條”發布后，半導體并購充足市場將迎來活力。在半導體市場中，希荻微、納芯微、富創精密、炬光科技等企業均發布了收購公告。希荻微宣布全資子公司Halo Microelectronics International Corporation擬以約1.09億元，收購韓國上市公司Zinitix 30.91%的股權。納芯微宣布近8億元收購傳感器公司麥歌恩79.31%的股份。富創精密擬以不超過8億元人民幣的現金方式收購亦盛精密。炬光科技收購了ams OSRAM AG光學元器件部分研發和生產資產。

半導體領域并購重組案例涌現也說明了表明行業整合正在加速。通過并購來擴大規模、優化資源配置，將成為企業提升競爭力的方式之一。同時，我們也關注到并購案大都圍繞公司技術升級和產品線展開，這將有利于企業加速自身的技術迭代和產品創新，滿足市場需求。