1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結構，以其高效能、高功率密度和優秀的散熱性能，展現了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優勢，為電動汽車空調壓縮機、車載充電機及工業驅動系統等提供了創新解決方案，推動行業向更高效、更環保的方向邁進。

該模塊內部搭載了6顆1200V/80mΩ愛仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開關速度快、功耗低、抗干擾能力強和高可靠性等優點。

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產品性能及應用

該模塊內部搭載了6顆1200V/80mΩ愛仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開關速度快、功耗低、抗干擾能力強和高可靠性等優點。

模塊參數

電路拓撲圖

引腳定義圖

SiC MOSFET模塊與IGBT的比較優勢

提升系統能效：在800V電壓平臺上，利用高頻優勢，D21系列模塊的輕載損耗遠低于傳統IGBT，提升系統效率

拓寬運行邊界：強化低轉速控制能力，提升壓縮機的運行穩定性

助力小型化：小尺寸的模塊設計，助力空調壓縮機系統實現緊湊化

適應極端工況：高溫和超低溫環境下的穩定工作能力，確保電動汽車在極端氣候中的性能穩定

提高制冷效率：降低控制器和電機損耗，提升空調系統制冷效率