1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主，增大 X 電容就可解決。

1MHZ---5MHZ---差模共模混合，采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo) 并解決;5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞 2 圈 會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減（diudiu2006）;對(duì)于 25--30MHZ 不過(guò)可以采用加大對(duì)地 Y 電容、 在變壓器外面包銅皮、改變 PCBLAYOUT、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán)，最少繞 10 圈、在輸 出整流管兩端并 RC 濾波器。

30---50MHZ 普遍是 MOS 管高速開(kāi)通關(guān)斷引起，可以用增大 MOS 驅(qū)動(dòng)電阻，RCD 緩沖電路采用1N4007慢管，VCC 供電電壓用 1N4007 慢管來(lái)解決。

100---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，可以在整流管上串磁珠

100MHz-200MHz 之間大部分出于 PFCMOSFET及 PFC 二極管，現(xiàn)在MOSFET及 PFC 二極管串磁 珠有效果，水平方向基本可以解決問(wèn)題，但垂直方向就很無(wú)奈了。

開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到 100M 以下的頻段。也可以在 MOS，二極管上加相應(yīng)吸收回路，但效率 會(huì)有所降低。

【設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)防止 EMI 的措施】

1.把噪音電路節(jié)點(diǎn)的 PCB 銅箔面積最大限度地減小;如開(kāi)關(guān)管的漏極、集電極，初次級(jí)繞組的節(jié)點(diǎn)等。

2.使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件，如變壓器線包，變壓器磁芯，開(kāi)關(guān)管的散熱片，等等。

3.使噪音元件（如未遮蔽的變壓器線包，未遮蔽的變壓器磁芯，和開(kāi)關(guān)管，等等）遠(yuǎn)離外殼邊緣，因?yàn)樵谡２僮飨峦鈿み吘壓芸赡芸拷饷娴慕拥鼐€。

4.如果變壓器沒(méi)有使用電場(chǎng)屏蔽，要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。

5.盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級(jí)（輸出）整流器，初級(jí)開(kāi)關(guān)功率器件，柵極（基極）驅(qū)動(dòng)線路，輔助整流器。

6.不要將門(mén)極（基極）的驅(qū)動(dòng)返饋環(huán)路和初級(jí)開(kāi)關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。

7.調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開(kāi)關(guān)的死區(qū)時(shí)間里不產(chǎn)生振鈴響聲。

8.防止 EMI濾波電感飽和。

9.使拐彎節(jié)點(diǎn)和次級(jí)電路的元件遠(yuǎn)離初級(jí)電路的屏蔽體或者開(kāi)關(guān)管的散熱片。

10.保持初級(jí)電路的擺動(dòng)的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。

11.使高頻輸入的 EMI 濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。

12.保持高頻輸出的 EMI 濾波器靠近輸出電線端子。

13.使 EMI 濾波器對(duì)面的 PCB 板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。

14.在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻。

15.在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。

16.在輸出 RF 濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。

17.在 PCB 設(shè)計(jì)時(shí)允許放 1nF/500V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級(jí)的靜端和輔助繞組之間。

18.保持 EMI 濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

19.在 PCB 面積足夠的情況下，可在 PCB 上留下放屏蔽繞組用的腳位和放 RC 阻尼器的位置，RC 阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

20.空間允許的話在開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和門(mén)極之間放一個(gè)小徑向引線電容器（米勒電容，10 皮法/1 千伏電容）。

21.空間允許的話放一個(gè)小的 RC 阻尼器在直流輸出端。

22.不要把 AC 插座與初級(jí)開(kāi)關(guān)管的散熱片靠在一起。