Littelfuse發(fā)布高頻MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器新品
Littelfuse公司近日宣布推出兩款創(chuàng)新產(chǎn)品——IX4341與IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為高頻應(yīng)用精心打造。這兩款新品進(jìn)一步豐富了Littelfuse的IX434x系列，通過(guò)新增的同相與反相邏輯輸入版本，實(shí)現(xiàn)了對(duì)系列產(chǎn)品的全面升級(jí)與補(bǔ)充。
IX434x系列現(xiàn)已涵蓋雙路同相、雙路反相以及混合同相與反相輸入的多樣化配置，為工程師們提供了前所未有的靈活性與廣泛選擇。無(wú)論是追求高效能驅(qū)動(dòng)解決方案，還是尋求定制化配置以適應(yīng)特定應(yīng)用場(chǎng)景，IX434x系列都能滿足最嚴(yán)苛的需求。這一創(chuàng)新舉措再次彰顯了Littelfuse在MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位與持續(xù)創(chuàng)新力。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7164瀏覽量
213278 -
Littelfuse
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
237瀏覽量
96542 -
柵極驅(qū)動(dòng)器
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
743瀏覽量
38985
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
淺談瑞盟科技·MS30517SA——單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
MS30517SA 是單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件，能夠有效地驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 開(kāi)關(guān) 。提供FAE支持，歡迎咨詢(xún)了解。單通道、高速、低側(cè)
高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率損耗分析
高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度
電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器選型指南
電隔離式（GI）柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費(fèi)產(chǎn)品中依賴(lài)性的加深，SiC技術(shù)憑借其
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算
MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分： 由于MOSFET柵極電容充電和放電
Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。這些柵極驅(qū)動(dòng)器
發(fā)表于 09-19 11:55
?656次閱讀
碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器的選擇標(biāo)準(zhǔn)
利用集成負(fù)偏壓來(lái)關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車(chē)、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和泵等高功率應(yīng)用時(shí)，系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因?yàn)榕c IGBT 相比，SiC 技術(shù)具有更
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的分類(lèi)和應(yīng)用
MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的電路設(shè)備。MOSFET作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子工業(yè)中有
柵極驅(qū)動(dòng)器是什么？柵極驅(qū)動(dòng)器有什么用？
柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是一種電路，其主要功能在于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器
什么是柵極驅(qū)動(dòng)器？柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理
柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是一種電路，主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器
柵極驅(qū)動(dòng)器的選型標(biāo)準(zhǔn)是什么
柵極驅(qū)動(dòng)器的選型標(biāo)準(zhǔn)是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是用于驅(qū)動(dòng)IGBT（絕緣柵雙極晶體管）或
柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么
柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片是一種用于控制功率電子器件（如IGBT、MOSFET等）柵極
Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這款新型
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器
發(fā)表于 05-23 11:23
?782次閱讀
適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì)，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專(zhuān)門(mén)為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向?yàn)楣鐼OSFETs設(shè)計(jì)的通用
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論