大家可以看到復(fù)位電路中電阻R1=10k時(shí)RST是高電平 ，而當(dāng)R1=50時(shí)RST為低電平，很明顯R1=10k時(shí)是錯(cuò)誤的，單片機(jī)一直處在復(fù)位狀態(tài)時(shí)根本無法工作。出現(xiàn)這樣的原因是由于RST引腳內(nèi)含三極管，即便在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)也會有少量截止電流，當(dāng)R取的非常大時(shí)，微弱的截止電流通過就產(chǎn)生了高電平。

二、LED串聯(lián)電阻的計(jì)算問題

通常紅色貼片LED：電壓1.6V-2.4V，電流2-20mA，在2-5mA亮度有所變化，5mA以上亮度基本無變化。

三、端口出現(xiàn)不夠用的情況

這時(shí)可以借助擴(kuò)展芯片來實(shí)現(xiàn)，比如三八譯碼器74HC138來拓展

四、濾波電容

濾波電容分為高頻濾波電容和低頻濾波電容。

1、高頻濾波電容一般用104容（0.1uF），目的是短路高頻分量，保護(hù)器件免受高頻干擾。普通的IC（集成）器件的電源與地之間都要加，去除高頻干擾（空氣靜電）。

2、低頻濾波電容一般用電解電容（100uF），目的是去除低頻紋波，存儲一部分能量，穩(wěn)定電源。大多接在電源接口處，大功率元器件旁邊，如：USB借口，步進(jìn)電機(jī)、1602背光顯示。耐壓值至少高于系統(tǒng)最高電壓的2倍。

五、三極管的作用

1、開關(guān)作用:

LEDS6為高電平時(shí)截止，為低電平時(shí)導(dǎo)通。

限流電阻的計(jì)算：集電極電流為I，則基極電流為I/100（這里涉及到放大作用，集電極電流是基極的100倍），PN結(jié)電壓0.7V，R=(5-0.7)/(I/100)

2、放大作用：

集電極電流是基極電流的100倍

3、電平轉(zhuǎn)換:

當(dāng)基極為高電平時(shí)，三極管導(dǎo)通，右側(cè)的導(dǎo)線接地為低電平，當(dāng)基極為低電平時(shí)，三極管截止，輸出高電平.

六、數(shù)碼管的相關(guān)問題

數(shù)碼管點(diǎn)亮形成的數(shù)字由a,b,c,d,e,f,e,dp(小數(shù)點(diǎn)）構(gòu)成，字模及真值表如上圖。

七、電流電壓驅(qū)動(dòng)問題

由于單片機(jī)輸出有限，當(dāng)負(fù)載很多的時(shí)候需要另外加驅(qū)動(dòng)芯片 ，比如74HC245

八、上拉電阻

上拉電阻選取原則

1、從節(jié)約功耗及芯片灌電流能力考慮應(yīng)當(dāng)足夠大；電阻大，電流小。

2、從確保足夠的驅(qū)動(dòng)電流考慮應(yīng)當(dāng)足夠小；電阻小，電流大。

3、對于高速電路，過大的上拉電阻可能會導(dǎo)致邊沿變平緩。

綜合考慮：上拉電阻常用值在1K到10K之間選取，下拉同理。

上下拉電阻

上拉就是將不確定的信號通過一個(gè)電阻嵌位在高電平，下拉同理。

1、電平轉(zhuǎn)換，提高輸出電平參數(shù)值。

2、OC門必須加上拉電阻才能使用。

3、加大普通IO引腳驅(qū)動(dòng)能力。

4、懸空引腳上下拉抗干擾。

九、晶振和復(fù)位電路

晶振電路

1、晶振選擇：

根據(jù)實(shí)際系統(tǒng)需求選擇，6M，12M，11.0592M，20M等待

2、負(fù)載電容：

對地接2個(gè)10到30pF的電容即可，常用20pF。

3、萬用表測晶振：

直接用紅表筆對晶振引腳，黑表筆接GND，測量電壓即可。

復(fù)位電路

復(fù)位

把單片機(jī)內(nèi)部電路設(shè)置成為一個(gè)確定的狀態(tài)，所有的寄存器初始化。

51單片機(jī)的復(fù)位時(shí)間大約在2個(gè)機(jī)械周期左右，具體需要看芯片數(shù)據(jù)手冊。

一般通過復(fù)位芯片或者復(fù)位電路，具體的阻容參數(shù)的計(jì)算，通過google查找。

十、按鍵抖動(dòng)及消除

按鍵也是機(jī)械裝置，在按下或放開的一瞬間會產(chǎn)生抖動(dòng)，如下圖：

消除方法有兩種：軟件除抖和硬件除抖，其中硬件除抖是應(yīng)用了電容對高頻信號短路的原理。

軟件除抖是檢測出鍵閉合后執(zhí)行一個(gè)延時(shí)程序，產(chǎn)生5ms～10ms的延時(shí)，讓前沿抖動(dòng)消失后再一次檢測鍵的狀態(tài)，如果仍保持閉合狀態(tài)電平，則確認(rèn)為真正有鍵按下。