主驅(qū)電控系統(tǒng)是新能源汽車的重要組成部分,本文將從電控系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖出發(fā),介紹系統(tǒng)的各組成部分及其功能,并重點(diǎn)介紹納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6611在電控系統(tǒng)中的運(yùn)用,其米勒鉗位功能能夠很好地預(yù)防短路發(fā)生;DESAT功能能夠在功率管發(fā)生短路時(shí)及時(shí)關(guān)斷,保護(hù)功率管不受損壞,確保系統(tǒng)安全、穩(wěn)定地運(yùn)行。
目錄
1)主驅(qū)電控系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)和基于NSI6611的驅(qū)動(dòng)板介紹
1.主驅(qū)電控系統(tǒng)的組成
2.驅(qū)動(dòng)電路板上的主要芯片
3.接口定義
4.NSI6611驅(qū)動(dòng)電路
2)米勒鉗位和NSI6611主動(dòng)米勒鉗位功能介紹
1. 米勒效應(yīng)
2. 主動(dòng)米勒鉗位
3. 功率器件的短路檢測(cè)
3)NSI6611 DESAT保護(hù)功能介紹
1.DESAT檢測(cè)外圍電路配置和參數(shù)
2.DESAT保護(hù)時(shí)序
3.軟關(guān)斷功能
1)主驅(qū)電控系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)和基于NSI6611的驅(qū)動(dòng)板介紹
1.1主驅(qū)電控系統(tǒng)的組成
主驅(qū)電控系統(tǒng)由低壓電池、整車VCU、MCU、高壓電池和旋變?nèi)?a target="_blank">電機(jī)等組成。如下圖1所示,藍(lán)色虛線內(nèi)是主驅(qū)電機(jī)控制器部分,紅色虛線內(nèi)是本文將重點(diǎn)介紹的驅(qū)動(dòng)板。
從功能上看,低壓電池為系統(tǒng)提供低壓供電,整車VCU通過CAN總線給電控系統(tǒng)發(fā)送指令,讀取電控系統(tǒng)的狀態(tài);高壓電池包提供高壓供電,F(xiàn)lyback電路為IGBT驅(qū)動(dòng)提供正負(fù)電壓,驅(qū)動(dòng)三相電機(jī);LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)為驅(qū)動(dòng)芯片提供+5V供電。納芯微高壓隔離驅(qū)動(dòng)NSI6611的作用是驅(qū)動(dòng)IGBT和SiC模塊;電流采樣電路和旋變數(shù)字轉(zhuǎn)換器用來控制電機(jī)運(yùn)行。
圖1:主驅(qū)電控系統(tǒng)框圖(來源:納芯微)
在主驅(qū)電控系統(tǒng)中,納芯微提供了各種芯片,包括CAN接口芯片、旋變數(shù)字轉(zhuǎn)換器、電源芯片以及高壓隔離驅(qū)動(dòng)芯片。
1.2驅(qū)動(dòng)電路板上的主要芯片
下圖2是基于納芯微單通道智能隔離驅(qū)動(dòng)NSI6611設(shè)計(jì)的三相驅(qū)動(dòng)電路板,藍(lán)色框中的6個(gè)芯片均為NSI6611。此外,驅(qū)動(dòng)板還使用了納芯微的Flyback電源控制芯片NSR22401,為NSI6611高壓驅(qū)動(dòng)側(cè)提供正負(fù)電壓;LDO芯片NSR3x為NSI6611低壓側(cè)提供5V供電。
圖2:基于納芯微NSI6611的驅(qū)動(dòng)板(來源:納芯微)
NSI6611是一款帶保護(hù)功能的車規(guī)級(jí)高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)芯片,可以驅(qū)動(dòng)IGBT和SiC,最高支持2121V峰值電壓,驅(qū)動(dòng)電流最大可達(dá)10A,不需要外加驅(qū)動(dòng)電路;CMTI(共模瞬變抗擾度)高達(dá)150kV/μs。此外,其內(nèi)部集成了主動(dòng)米勒鉗位和DESAT(退飽和)保護(hù)、軟關(guān)斷以及ASC(主動(dòng)短路)功能,工作溫度范圍為-40℃至+125℃。
1.3 接口定義
如下圖3所示,驅(qū)動(dòng)板的左側(cè)是驅(qū)動(dòng)板與控制板的信號(hào)接口,包括由控制板提供PWM控制的6路輸入信號(hào);當(dāng)NSI6611檢測(cè)到IGBT過流或欠壓時(shí)為控制板提供的6路FAULT輸出信號(hào);用來指示NSI6611供電是否欠壓的6路Ready輸出信號(hào);以及分別控制3路高邊和3路低邊的2路RESET輸入信號(hào)。驅(qū)動(dòng)板的右側(cè)是電源接口,供電電壓范圍是9V至16V。
圖3:驅(qū)動(dòng)板接口定義(來源:納芯微)
1.4 NSI6611驅(qū)動(dòng)電路
下圖4是NSI6611的驅(qū)動(dòng)電路,左側(cè)是低壓控制側(cè),信號(hào)線上串聯(lián)的100Ω電阻可以有效減小信號(hào)反射;由于Fault和Ready信號(hào)為內(nèi)部Open Drain(開漏)結(jié)構(gòu),需要加一個(gè)5.1kΩ的上拉電阻。另外,PWM信號(hào)加1nF電容組成的RC電路可以濾除高頻信號(hào),VCC1加了一個(gè)0.1μF去偶電容。
右側(cè)是高壓驅(qū)動(dòng)側(cè),并聯(lián)了2個(gè)1206封裝的柵極電阻,柵極有一個(gè)10k下拉電阻,柵極電容可根據(jù)不同應(yīng)用需要進(jìn)行調(diào)整,CLAMP引腳通過0Ω電阻連接到GATE。
圖4:NSI6611驅(qū)動(dòng)電路(來源:納芯微)
2)米勒效應(yīng)和主動(dòng)米勒鉗位功能
2.1米勒效應(yīng)
米勒效應(yīng)是指在晶體管或場效應(yīng)管中,由于輸入電容和放大器增益的相互作用,導(dǎo)致放大器輸出端的電容增大的現(xiàn)象。它不僅會(huì)增加開關(guān)延時(shí),還可能引起寄生導(dǎo)通。
由于半導(dǎo)體的固有特性,IGBT內(nèi)部存在著各種寄生電容,其中柵極和集電極之間的電容叫米勒電容。在測(cè)試中經(jīng)常看到,柵極電壓的上升并不是直接達(dá)到VCC電壓,而是上升到一個(gè)電壓平臺(tái)維持一段時(shí)間后再上升。這個(gè)電壓平臺(tái)就是米勒平臺(tái),它是由米勒電容產(chǎn)生的。
圖5.1:米勒效應(yīng)(來源:納芯微)
米勒電容還可能引起下管誤導(dǎo)通。通常,電機(jī)驅(qū)動(dòng)經(jīng)常要上下管配合使用,當(dāng)Q2關(guān)斷且Q1開啟時(shí),由于存在很高的dv/dt和米勒電容,就會(huì)產(chǎn)生一定的電流。其計(jì)算如公式為:I = C * dv/dt。流過柵極電阻的電流會(huì)產(chǎn)生一個(gè)VGE電壓,當(dāng)這個(gè)電壓超過Q2的開啟閾值時(shí),Q2就會(huì)開啟,此時(shí)Q1已經(jīng)處于開啟狀態(tài),因此會(huì)引起上下管直通短路。
圖5.2:米勒效應(yīng)(來源:納芯微)
2.2主動(dòng)米勒鉗位
為了解決米勒效應(yīng)引起的上下管導(dǎo)通的問題,可以使用負(fù)壓關(guān)斷,但這會(huì)增加電源設(shè)計(jì)的復(fù)雜度,并增加BOM成本;第二個(gè)方案是使用帶有米勒鉗位功能的驅(qū)動(dòng)芯片來控制IGBT的關(guān)斷過程。
米勒鉗位功能驅(qū)動(dòng)芯片控制IGBT關(guān)斷的過程如下圖6所示,首先OUTL引腳打開,使柵極電壓下降;當(dāng)柵極電壓降到CLAMP閾值以下時(shí),開啟CALMP引腳,使OULT引腳關(guān)閉。所形成的通路可以有效旁路柵極電阻,從而避免出現(xiàn)上下管導(dǎo)通的現(xiàn)象。值得注意的是,米勒鉗位模塊只在IGBT關(guān)閉的過程中才工作。
圖6:米勒鉗位功能驅(qū)動(dòng)芯片控制IGBT關(guān)斷過程示意圖(來源:納芯微)
2.3功率器件的短路檢測(cè)
IGBT和SiC器件的短路能力各不相同。在使用一個(gè)功率器件設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)之前,首先要了解其最大電壓、最大電流、Rdson(導(dǎo)通電阻)等基本參數(shù)。短路能力也是值得重點(diǎn)關(guān)注的參數(shù),因?yàn)樵O(shè)計(jì)短路保護(hù)時(shí)需要知道器件的短路特性。
以IGBT短路特性參數(shù)為例,在25℃時(shí),其最大短路時(shí)間為6μs,也就是說,需要在6μs內(nèi)及時(shí)關(guān)斷IGBT。在短路電流達(dá)到4800A時(shí),數(shù)值已經(jīng)是正常工作電流的好幾倍,一旦短路,瞬間會(huì)產(chǎn)生很大的熱量,使結(jié)溫急劇上升,如果不及時(shí)關(guān)斷就會(huì)燒毀器件,甚至有起火的風(fēng)險(xiǎn),這是系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必須避免的。
通常IGBT的短路時(shí)間最大可達(dá)10μs,而SiC的短路時(shí)間僅為2~3μs,這給短路保護(hù)帶來了很大的挑戰(zhàn),因此必須及時(shí)檢測(cè)到短路并及時(shí)進(jìn)行關(guān)斷。
方法一是電流檢測(cè),在IGBT上串聯(lián)一個(gè)電阻,或使用電流傳感器直接檢測(cè)過流情況,但這樣做會(huì)增加很多成本,也會(huì)使電路系統(tǒng)變得更加復(fù)雜。
方法二是退飽和檢測(cè),也就是DESAT保護(hù)。如下圖7所示,在VCE電壓和集電極電流曲線圖中可以看到,當(dāng)VCE小于0.4V時(shí),沒有電流流過截止區(qū);隨著VCE電壓增加,電流也會(huì)變大,出現(xiàn)飽和區(qū),然后進(jìn)入線性區(qū),即退飽和區(qū)。
通常,IGBT在飽和區(qū)工作時(shí),一旦發(fā)生短路就會(huì)進(jìn)入退飽和區(qū)。可以看到,在飽和區(qū)VCE電壓一般不會(huì)超過2V;如果進(jìn)入退飽和區(qū),VCE就會(huì)快速上升,甚至達(dá)到系統(tǒng)電壓。退飽和檢測(cè)就是通過檢測(cè)VCE電壓來檢測(cè)IGBT是否進(jìn)入了退飽和區(qū)。
圖7:功率器件的短路檢測(cè)示意圖(來源:納芯微)
3)DESAT保護(hù)功能
3.1DESAT檢測(cè)外圍電路配置和參數(shù)
DESAT檢測(cè)由NSI6611及外置的DESAT電容、電阻和高壓二極管組成。NSI6611芯片內(nèi)部集成了500μA恒流源和比較器。
圖8:DESAT檢測(cè)外圍電路配置和參數(shù)(來源:納芯微)
當(dāng)IGBT正常開啟時(shí),VCE電壓很低,基本上在2V以下,這時(shí)二極管處于正向?qū)顟B(tài)。其VDESAT的電壓值等于電阻的壓降加二極管的壓降,再加上VCE電壓。假設(shè)電阻的阻值是100Ω,二極管的正向壓降是1.3V,VCE是2V,那么,根據(jù)圖8中的公式可以得到:IGBT正常開啟時(shí),DESAT檢測(cè)到的電壓基本上小于3.35V。
當(dāng)IGBT短路時(shí),VCE電壓會(huì)迅速上升,這時(shí)二極管處于關(guān)斷狀態(tài),電流會(huì)流向DESAT電容,并為其充電。由于NSI6611的DESAT電流是500μA,DESAT閾值是9V,也就是說,需要匹配一個(gè)電容,以便在短路時(shí)間以內(nèi),以500μA將DESAT電容充電到9V。
假設(shè)DESAT電容是56pF,根據(jù)圖8中的電容充電公式計(jì)算得到:電容的充電時(shí)間是1μs左右,再加上200ns的消隱時(shí)間和200ns的濾波時(shí)間,總的短路保護(hù)響應(yīng)時(shí)間是1.4μs。這個(gè)時(shí)間不僅小于IGBT的安全短路時(shí)間,也小于SiC的安全短路時(shí)間。
3.2DESAT保護(hù)時(shí)序
下圖9是DESAT保護(hù)時(shí)序圖,從圖中可以看出,第一步,GATE上升,DESAT開始消隱時(shí)間;第二步,消隱時(shí)間結(jié)束,DESAT電流開啟,如果IGBT短路,二極管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài),DESAT電流為電容充電;第三步,當(dāng)DESAT電容充到閾值9V時(shí),開啟DESAT保護(hù)的濾波時(shí)間;第四步,濾波時(shí)間結(jié)束,執(zhí)行GATE關(guān)斷。
圖9:DESAT保護(hù)時(shí)序圖(來源:納芯微)
3.3軟關(guān)斷功能
上文提到過,當(dāng)檢測(cè)到DESAT故障時(shí)即執(zhí)行GATE關(guān)斷。那么,是不是直接正常關(guān)斷就可以了?其實(shí)不行。在發(fā)生短路時(shí),IGBT的電流至少是正常電流的6~8倍,根據(jù)公式,電壓等于系統(tǒng)的雜散電感乘以di/dt(V=Ls*di/dt),這么大的電流如果迅速關(guān)斷,勢(shì)必會(huì)產(chǎn)生很大的VCE電壓,足以損壞IGBT。要減少VCE過沖只有兩種途徑,一是減少雜散電感,二是減小di/dt。
首先,由于器件的寄生參數(shù)、PCB走線、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等不可避免地存在一定量的雜散電感;其次,對(duì)于減小di/dt,在電流一定的前提下,只有增加關(guān)斷時(shí)間,也就是讓IGBT慢慢關(guān)斷,才能安全關(guān)斷。NSI6611可以提供400mA的軟關(guān)斷,從而抑制VCE過沖,有效地解決器件保護(hù)的問題。
審核編輯 黃宇
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