晶閘管作為一種重要的半導體器件，其主要參數決定了其在電路中的應用和性能。以下是晶閘管的主要參數概述：

一、電壓參數

1. 斷態重復峰值電壓（UDRM） ：
   • 定義：在門極斷路且結溫為額定值時，允許重復加在晶閘管上的正向斷態最大脈沖電壓。
   • 注意事項：選用時，一般取該值為正常工作電壓峰值的2~3倍作為安全裕量。
2. 反向重復峰值電壓（URRM） ：
   • 定義：在門極斷路且結溫為額定值時，允許重復加在晶閘管上的反向最大脈沖電壓。
   • 注意事項：同樣需要留有安全裕量。
3. 通態峰值電壓（UTM） ：
   • 定義：晶閘管通以某一規定倍數的額定通態平均電流時的瞬態峰值電壓，一般為1.5~2.5V。
4. 額定電壓（UR） ：
   • 定義：通常取UDRM和URRM中較小的值作為晶閘管的額定電壓。
5. 其他電壓參數 ：
   • 如斷態不重復峰值電壓（UDSM）、反向不重復峰值電壓（URSM）等，這些參數描述了晶閘管在特定條件下的電壓承受能力。

二、電流參數

1. 通態平均電流（IT(AV)） ：
   • 定義：在環境溫度為+40°C和規定的散熱冷卻條件下，晶閘管在導通角不小于170°電阻性負載的單相、工頻正弦半波導電時，所允許通過的最大電流平均值。
   • 注意事項：實際使用時，應根據電流波形計算容許使用的電流有效值，并留有安全裕量，一般取1.5~2倍。
2. 維持電流（IH） ：
   • 定義：維持晶閘管導通所必需的最小電流。
   • 注意事項：維持電流與結溫有關，結溫越高，維持電流越小，晶閘管越難關斷。
3. 其他電流參數 ：
   • 如通態不重復浪涌電流（IT(SM)或IF(SM)）、通態有效值電流（IT(RMS)）等，這些參數描述了晶閘管在特定條件下的電流承受能力。

三、觸發參數

1. 觸發電壓（VGT） ：
   • 定義：在規定的環境溫度和A、K間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需的最小門極直流電壓。
   • 注意事項：觸發電壓一般較低，通常為1.5V左右。
2. 觸發電流（IGT） ：
   • 定義：在規定的環境溫度和A、K間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需的最小門極直流電流。

四、動態參數

1. 開通時間（tgt） ：
   • 定義：晶閘管從接收到觸發信號到完全導通所需的時間。
2. 關斷時間（tq） ：
   • 定義：晶閘管從導通狀態到完全關斷所需的時間。
3. 斷態電壓臨界上升率（du/dt） ：
   • 定義：在額定結溫和門極開路的情況下，不導致晶閘管從斷態到通態轉換的外加電壓最大上升率。
4. 通態電流臨界上升率（di/dt） ：
   • 定義：在規定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態電流上升率。

五、其他參數

1. 熱阻（Rth） ：
   • 定義：晶閘管內部到外部環境的熱阻，影響散熱性能。
2. 結溫（Tj） ：
   • 定義：晶閘管在正常工作時的PN結最高溫度。
3. 功率損耗（Pdiss） ：
   • 定義：晶閘管在導通和開關過程中的功率損耗。
4. 模塊絕緣電壓（Visol） ：
   • 定義：晶閘管模塊的絕緣性能參數，表示模塊能承受的最大絕緣電壓。
5. 門極峰值功率（PGM） 和 門極平均功率（PG(AV)） ：
   • 定義：分別表示門極在峰值和平均條件下的功率消耗。

綜上所述，晶閘管的主要參數涵蓋了電壓、電流、觸發、動態以及其他多個方面，這些參數共同決定了晶閘管的工作條件、性能和可靠性。在選用晶閘管時，需要根據具體的應用場景和電路要求來綜合考慮這些參數。