半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管,是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。常用的工作物質(zhì)有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。由于物質(zhì)結(jié)構(gòu)上的差異,不同種類產(chǎn)生激光的具體過(guò)程比較特殊,激勵(lì)方式有電注入、電子束激勵(lì)、光泵浦三種形式。半導(dǎo)體激光器可分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)等幾種。其中,半導(dǎo)體二極管激光器是最實(shí)用最重要的一類激光器,具有體積小、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),并可采用簡(jiǎn)單的注入電流的方式來(lái)泵浦,其工作電壓和電流與集成電路兼容,因而可與之單片集成。在激光通信、光存儲(chǔ)、光陀螺、激光打印、測(cè)距、雷達(dá)等方面得到了廣泛的應(yīng)用。
圖1.半導(dǎo)體激光器示意圖半導(dǎo)體激光器的制造過(guò)程需要經(jīng)過(guò)多個(gè)復(fù)雜的工藝步驟,以確保芯片的性能和可靠性,包括硅片生長(zhǎng)——光刻——離子注入——腐蝕和薄膜沉積——封裝——測(cè)試等多個(gè)步驟。本文我們將著重介紹封裝步驟。
1.硅片生長(zhǎng):硅片是半導(dǎo)體器件的基板,具有良好的熱導(dǎo)型和機(jī)械強(qiáng)度。硅片的生長(zhǎng)過(guò)程可采用氣相外延或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積等方法,通過(guò)在硅片上沉積多層材料來(lái)形成芯片的結(jié)構(gòu)。
2.光刻:光刻用于在芯片表面形成圖案,以定義激光器的結(jié)構(gòu)和電路。操作時(shí)首先將光刻膠涂覆在硅片表面,然后用紫外線曝光,曝光后通過(guò)化學(xué)熔解或物理刻蝕的方式去除掉未曝光的光刻膠,從而形成所需的圖案。
圖2.光刻流程示意圖3.離子注入:離子注入芯片表面,用于形成PN結(jié)構(gòu)并控制電流傳輸,通過(guò)控制注入離子的種類和能量,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片電學(xué)性能的精準(zhǔn)調(diào)控。
圖3.離子注入示意圖4.腐蝕和薄膜沉積:通常采用化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積。腐蝕用于去除芯片表面的雜志和不需要的材料,以保證芯片的純凈度;薄膜沉積是在芯片表面沉積一層薄膜,以保護(hù)芯片結(jié)構(gòu)和提高光學(xué)性能。
圖4.薄膜沉積示意圖5.封裝:半導(dǎo)體激光器的封裝形式多種多樣,常見(jiàn)的包括金屬封裝、分布式反饋、腔內(nèi)型、垂直腔面發(fā)射激光器等。封裝工藝過(guò)程主要為:
(1)芯片共晶:使用特定的焊料(通常是金錫共晶焊料),將芯片和熱沉連接在一起。共晶過(guò)程需要精確地控制溫度和時(shí)間,以保證焊料的流動(dòng)性和連接的可靠性;
(2)金線鍵合:在芯片與熱沉焊接完成后,需要將芯片與外部電路連接起來(lái)。金線鍵合工藝使用非常細(xì)的金線將芯片上的電極連接到基板上的電路,從而實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳輸。這一步需要高度的精度和穩(wěn)定性,以確保連接的質(zhì)量和可靠性。
(3)熱沉燒結(jié):這一步的目的是通過(guò)高溫處理使焊料完全熔化并擴(kuò)散到熱沉和芯片之間,形成可靠的連接。同時(shí),燒結(jié)過(guò)程還可以降低熱沉的熱阻,提高其導(dǎo)熱性能。
(4)光纖耦合:激光器產(chǎn)生的光信號(hào)需要通過(guò)光纖傳輸。在封裝過(guò)程中,需要將光纖與激光器輸出端精確對(duì)準(zhǔn),并進(jìn)行固定。這一步需要高精度的機(jī)械對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),以確保光纖與激光器輸出端之間的耦合效率高且穩(wěn)定可靠。
(5)密封與外殼裝配:最后一步是將整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行密封,以保護(hù)內(nèi)部的激光器和其它元件免受環(huán)境的影響。外殼通常由金屬或陶瓷等材料制成,具有良好的防潮、防塵和耐腐蝕性。在裝配過(guò)程中,需要確保所有部件的連接處都緊密結(jié)合,以防止氣體或液體滲入內(nèi)部。
一般來(lái)說(shuō),大多數(shù)激光器都采用共晶工藝進(jìn)行連接,共晶工藝是一種常見(jiàn)的封裝技術(shù),通過(guò)在芯片和基板之間融化共晶焊料來(lái)實(shí)現(xiàn)可靠的連接。這種連接方式能夠提供良好的電傳導(dǎo)和熱導(dǎo)性,同時(shí)確保封裝的可靠性和穩(wěn)定性。
圖5.半導(dǎo)體激光器封裝示意圖6.測(cè)試:測(cè)試是在制造過(guò)程的最后階段對(duì)半導(dǎo)體激光器進(jìn)行性能、可靠性等方面的測(cè)試,以確保其符合客戶要求。
關(guān)于半導(dǎo)體激光器封裝的介紹就到這里,若有不當(dāng)之處歡迎各位朋友予以指正和指教;若與其他原創(chuàng)內(nèi)容有雷同之處,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們將及時(shí)處理。我司的真空回流焊/真空共晶爐可滿足半導(dǎo)體激光器封裝的要求,同時(shí)搭載我司持有的“正負(fù)壓焊接工藝”專利,共晶空洞率可達(dá)到<1%,如您感興趣,可與我們聯(lián)系共同討論,或前往我司官網(wǎng)了解。
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