宜普電源推出40 V氮化鎵功率晶體管，應用于POL、LiDAR的馬達驅動器
宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應用于負載點（POL）轉換器、激光雷達（LiDAR）及具低電感的馬達驅動器。
宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC2049功率晶體管，應用于負載點（POL）轉換器、激光雷達（LiDAR）、包絡跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達驅動器。 EPC2049晶體管的額定電壓為40 V、最大導通電阻為5 m?及脈沖輸出電流為175 A。
與采用塑膠封裝的MOSFET相比，采用芯片級封裝的EPC2049氮化鎵場效應晶體管的散熱性能好很多，這是由于使用芯片級封裝的氮化鎵器件可以直接把熱量散出至環境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米（3.75平方毫米）。 設計師不需要選擇設計更小型化還是性能更高的產品，而是二者可以同時兼得！
EPC公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow稱：「EPC2049展示出EPC公司及其氮化鎵晶體管技術如何提升eGaN?器件的性能之同時能夠降價。EPC2049進一步印證了eGaN與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在繼續擴大。」
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
147文章
7171瀏覽量
213369 -
晶體管
+關注
關注
77文章
9694瀏覽量
138229 -
馬達驅動器
+關注
關注
0文章
28瀏覽量
15959 -
宜普電源
+關注
關注
1文章
6瀏覽量
7595
原文標題：宜普電源推出40 V氮化鎵功率晶體管，比等效MOSFET小型化8倍
文章出處：【微信號：gh_030b7610d46c，微信公眾號：GaN世界】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管
意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術的優勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電
英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
、數據中心、電信整流器等消費和工業開關電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機驅動器。CoolGaN650VG5晶體管最新一代CoolGaN
英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數據中心、電信整流器等消費和工業開關
發表于 11-20 18:27
?462次閱讀
GaN晶體管的應用場景有哪些
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高
GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同
GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而
GaN晶體管的基本結構和性能優勢
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構
瑞薩電子氮化鎵場效應晶體管的優勢
氮化鎵場效應晶體管是當今電力電子領域的明星，它正在提高功率轉換效率、電機控制和功率密度，有效滿足當前的市場需求和趨勢。
晶體管功率繼電器的基本介紹
晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應速度快、壽命長等優點，廣泛應用于各種電子設備和系統中。
CGHV96050F1衛星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與
發表于 01-19 09:27
氮化鎵是什么晶體,是離子晶體還是原子晶體
（3.4電子伏特），在紫外到藍色波段有較高的透明性。這種特性使氮化鎵成為光電子學領域的重要材料，廣泛應用于LED（發光二極管）、激光器、太陽
氮化鎵是什么晶體類型
氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應用前景的材料，受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地
氮化鎵功率器件結構和原理
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散
工商網監
評論