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UV LED最終將替代含有有毒物質汞的傳統 UV 光源

wgsB_OsramOpto ? 2017-12-29 17:04 ? 次閱讀

自2017年2月開始,共有五家研究機構和公司參與“UV Power”研究項目,該合作項目由德國聯邦教育和研究部(BMBF)資助。這些合作伙伴們的目標是提供具有廣泛用途的高功率UV LED。這些LED最終將替代含有有毒物質汞的傳統 UV 光源,廣泛用于生產、消毒、環境、生命科學和醫藥領域。UV LED極有可能開啟全新的應用領域。

▲安裝在 AIN 子裝配上的具有倒裝芯片幾何形狀的 UV-LED

作為“Advanced UV for Life”項目的一部分,由研究機構和公司組成的協會得到聯邦“Zwanzig20”計劃的資助。歐司朗光電半導體目前正與四家合作伙伴合作開發面向大眾市場的高功率 UV LED 產品:四家合作伙伴為Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für H?chstfrequenztechnik (FBH)、Technical University of Berlin、LayTec AG 和UVphototonics NT GmbH。LED(樣見) 和基于氮化鋁鎵 (AlGaN) 材料體系的 UVB 和 UVC 光譜高功率 LED 制造技術計劃于 2020 年面世。

因此合作伙伴們都將各自的科學專業技術傾入項目中,同時配備了高度專業化的技術設備和分析方法。在 LED 生產的整條技術鏈上,高功率 LED 的研發正在如火如荼地進行?!拔覀兏鶕献骰锇榈膬瀯轂槠浞峙洳煌蝿铡獜纳a結構化的藍寶石基板、外延和芯片加工到封裝和分析各環節。”歐司朗光電半導體德國總部 UV 研發部主管 Hans-Jürgen Lugauer 博士指出,“我們在國際市場的地位和在工業制造方面的技術提升了協會的影響力?!?/p>

為加快研發并高效利用各類資源,合作伙伴們根據不同的波長范圍分配研究工作。除負責協調整個項目外,歐司朗光電半導體還負責 270 至 290 nm 波長范圍的工作。在外延方面,Ferdinand-Braun-Institut 負責 290 nm 至 310 nm 之間的 UVB 的相鄰波長,同時還負責將外延晶圓融入 UV 芯片的加工。Technical University of Berlin 重點攻關 250 nm 至 270 nm 的波長范圍,并利用自身技術專長進行 AIGaN 材料和 AIGaN LED 的材料分析。TU Berlin 還擁有進行 UV 分析的多種專業設備。LayTec AG 負責研發控制外延和等離子蝕刻系統的定制技術。FBH spin-off UVphotonics NT GmbH 則面向用戶。該公司負責優化芯片設計,以實現高電流和高效冷卻。公司同時還負責采集統計數據、分析整個生產鏈的加工數據,并為項目合作伙伴提供這些數據用于優化生產過程。FBH、TUB 和 UVphotonics 還將通過其他項目深入研究組裝技術和老化影響等重要課題。

新版 LED 的光輸出在 300 ± 10nm、280 ± 10nm 和 260 ± 10nm 三個波長范圍下分別有望超過120mW、140mW和80mW。同時研究團隊也在大力改善 LED 的老化行為,從而使 LED 能夠更加持久、經濟地運行。

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原文標題:“UV Power”研究項目致力于用LED取代傳統UV光源

文章出處:【微信號:OsramOpto,微信公眾號:歐司朗光電半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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