MPS 逆變器整體解決方案一覽

上圖是 MPS 逆變器整體解決方案，下面我們著重介紹 MPS 優勢顯著的幾類產品：

一、技術領先的反激輔電

1. 內置700V 40W MOS的反激芯片：HF500-40

700V的內置MOS，使得它可以用在單相逆變器的AC輔電中，滿足單相市電電壓輸入，且有著充足的裕量。內置MOS還可以讓BOM精簡，并縮減占板面積。HF500-40的新一代產品預計將在明年推出，屆時可同時支持QR和CCM模式。

2. 定頻反激控制器“HFC0310新一代產品”，支持SiC驅動，峰值電流模式

三相逆變器的DC輔電，需要支持超寬的輸入電壓范圍，例如160-1100V;這意味著需要采用1700V的SiC MOS才能支持如此高壓輸入的反激。又需要支持很寬的負載，因為根據機型大小，功率需求差異很大，在30-200W范圍內都有需求。

因此，在此類場景下，外置MOS，且支持SiC驅動的控制器方案很合適，它能搭配不同規格的MOS和散熱器，靈活地應用于各種的功率段。

HFC0310的新一代產品即將發布，其第一個亮點是支持SiC驅動，第二個亮點是啟動電流極低，大大降低Vcc上拉啟動電路的設計難度。

3. 內置900V MOS的反激變換器：HF9XX

三相逆變器的AC輔電，往往需要支持線電壓輸入，因此需要用到900V的高壓MOS。 HF9XX的第一個亮點是集成了900V的MOS，可以讓BOM精簡，并縮減占板面積。 第二個亮點是支持PSR反饋，可省去光耦，減低BOM成本。 第三個亮點是支持QR準諧振開關，降低開關損耗。MPS的專利技術可以讓HF9XX穩穩鎖住谷底，不會在多個谷底之間跳躍，避免了可聞噪聲的產生。

二、超高性價比的貼片電流霍爾芯片

1. 貼片霍爾芯片MCS1810/2，支持5-100A量程，替代50A霍爾模組

MPS采用創新的IC技術，把通流用的導體、感應電流磁場的霍爾以及霍爾信號處理的晶圓，集成于SOIC-16的高性價比封裝中，且能滿足加強絕緣的隔離設計要求。相比于同規格霍爾模組，可以顯著降本。

2. 霍爾芯片模組“大電流版本的MCS1810/2”，量程進一步拓展到400A

MPS的集成式霍爾芯片模組采用SMT或DIP封裝，進一步減小原邊阻抗，改善溫升，最大電流量程可達400A。

三、可靠的容隔離驅動芯片

1. 容隔離驅動MPQ18811，支持主動米勒鉗位功能：

三相逆變器因為要支持高達1100V的母線電壓，1200V耐壓的SiC功率器件成為了高效率，提高整機功率密度的極佳選擇。然而SiC器件有著其自身的限制，對逆變器的硬件設計有著諸多要求：

SiC器件需要更高的驅動電壓，往往需要+15V, +18V才能讓管子充分的導通;

SiC器件具有極低的Vth，往往在2~4V之間;這意味著GS上的一些電壓波動，就可能讓SiC管誤開通;

SiC器件開關速度快，會在半橋中點產生很高的dv/dt，進而引起米勒效應，導致門級上出現串擾震蕩;這些震蕩可能讓SiC誤開通。

為了應對以上問題，工程師們往往給SiC的驅動器提供+18V和-5V的輔助供電。

+18V可以讓SiC充分開通;-5V的負壓偏置，可以讓SiC的門級更難以向上觸及Vth，避免串擾導致SiC誤開通。

但是這個做法也會帶來兩個新問題：

負壓驅動需要反激輔源增加一個繞組，增加輔源調試難度，增加整體體積和成本;

某些SiC的GS對負壓的耐受性較弱，可能只有-8V;在-5V的偏置基礎上，若再疊加一個負向的串擾，就可能超過SiC的GS負壓耐受范圍;這意味著負壓偏置還會帶來新的風險。

而MPQ18811不僅具有著30V的供電范圍，可支持+18V和-5V的輔助供電;還支持著主動米勒鉗位功能：

它在主動輸出低時，不僅從OUT pin對VSS有著下拉，還從CLAMP pin對VSS有著更強更直接的下拉。后者相比于Gate路徑有著更低的阻抗，因為這條路徑上不需要串聯門級電阻來抑制EMI輻射，且往往在layout上也有著更短更直接的路徑。因此有著更低的寄生電感、寄生電阻。在雙重下拉路徑的加持下，SiC器件的門級將難以因為串擾而上沖至Vth，因此可能可以省去負壓驅動繞組，避免上述負壓驅動帶來的兩個問題。

四、創新小體積隔離模塊

1. 創新小體積隔離模塊MIE1W0505等：

MIE1W0505B是一款隔離式穩壓 DC/DC 電源模塊。

它支持寬達3V至5.5V的輸入電壓 (VIN) 應用，這意味著它可以同時支持3.3V和5V兩種輸入;

它支持3.3V或5V兩種輸出電壓，可以通過VSEL引腳靈活設置輸出電壓;

在5V轉5V設置下，輸出功率 (POUT) 可達1W ;

采用容隔離技術實現輸出電壓反饋，因此具備出色的負載和輸入調整率，負載調整率在+/-0.4%以內;

具有連續短路保護 (SCP) 和過溫保護 (OTP) 功能;

有兩種封裝：MIE1W0505BGLVH為小尺寸 LGA-12 (4mmx5mm) 封裝，適合小于等于2.5kV絕緣電壓的場合，體積更小，性價比更高;MIE1W0505BGYMIE1W為標準SOIC-16 WB封裝，適合需求3kV/5kV絕緣電壓的場合。

MIE1W0505BGLVH采用容性隔離技術實現反饋阻斷，無需傳統光耦和TL431即可調節輸出電壓 (VOUT)。與傳統隔離式電源模塊相比，其模塊體積可以極大地縮小，運行可靠性更高。