國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）昨日發(fā)布去年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值統(tǒng)計(jì)，首度突破4,000億美元，年增20%，產(chǎn)值和增幅同創(chuàng)歷史紀(jì)錄，設(shè)備和材料廠也同歡。SEMI看好成長可延續(xù)至2019年，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面看待。

SEMI預(yù)估，今年半導(dǎo)體產(chǎn)值年增率約5%至8%，再創(chuàng)新高，明年可望續(xù)增，產(chǎn)值將首度站上5,000億美元大關(guān)。

SEMI***區(qū)總裁曹世綸表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已跳脫傳統(tǒng)3C及PC，多元應(yīng)用造就新一波半導(dǎo)體市場大躍進(jìn)。去年產(chǎn)值突破4.000億美元，年增率高達(dá)20%，超越以往的4%至5%。他樂觀預(yù)期今年將再創(chuàng)新高。

曹世綸指出，半導(dǎo)體新運(yùn)用包括人工智能(AI)、物聯(lián)網(wǎng)、高效能運(yùn)算、汽車、行動(dòng)設(shè)備、智能制造、智能醫(yī)療、5G、AR/VR等。另外，政府設(shè)定2025年再生能源占比達(dá)25%。SEMI將結(jié)合產(chǎn)業(yè)與政府，繼去年***國際太陽光電展首度納入風(fēng)能、綠色運(yùn)輸?shù)仍偕茉醋h題，今年將規(guī)劃成為***智能能源周，串聯(lián)全球無限商機(jī)。

SEMI***區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞瑜針去年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變化提出分析，去年半導(dǎo)體成長幅度破紀(jì)錄，相較于2015~2016年的平緩趨勢，2017年半導(dǎo)體市場產(chǎn)值達(dá)4,000億美元，主要驅(qū)動(dòng)力是記憶體，其中DRAM大幅成長75%，NAND成長45%，其他IC成長逾9%。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值提升，帶動(dòng)晶圓廠建置，半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)值也出現(xiàn)連三年成長，預(yù)料還可再創(chuàng)連四年成長的紀(jì)綠。

SEMI預(yù)估，今年相關(guān)晶圓廠建廠支出將達(dá)130億美元，新晶圓廠建置完成后，2019年、2020年設(shè)備支出會(huì)很可觀。今年前段設(shè)備采購金額將由去年的560億美元增至630億美元。

材料端部分也帶動(dòng)矽晶圓漲價(jià)，去年平均報(bào)價(jià)漲幅17%，主要由12吋矽晶圓帶動(dòng)。SEMI表示，即使矽晶圓售價(jià)上漲一倍，也才回到2011年的水準(zhǔn)。

SEMI預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體設(shè)備金額將增加高個(gè)位數(shù)百分比。今年中國大陸大幅擴(kuò)建新晶圓廠，今年大陸半導(dǎo)體前后段設(shè)備市場可能超過***市場，但因大陸晶圓廠投資大多來自外來廠商，也有不少臺(tái)廠，因此無損***業(yè)者的競爭力。

未來靠這五大應(yīng)用推動(dòng)成長

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）昨（3）日提出，繼行動(dòng)設(shè)備后，物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代行動(dòng)通訊（5G ）擴(kuò)增實(shí)境（AR）/虛擬實(shí)境(VR）及人工智能(AI)將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長期發(fā)展五大驅(qū)動(dòng)力。為迎相關(guān)應(yīng)用，記憶體廠積極擴(kuò)增產(chǎn)能，并以儲(chǔ)存型（NAND Flash）為主要爭戰(zhàn)焦點(diǎn)。

SEMI表示，去年半導(dǎo)體產(chǎn)值創(chuàng)新高，主要是記憶體如DRAM和NAND Flash價(jià)格大漲，以及感測器、光電和分離式元件需求強(qiáng)勁帶動(dòng)。預(yù)期這些應(yīng)用今年仍會(huì)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)成長。

此外，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)值也可望持續(xù)創(chuàng)高，主因記憶體和晶圓代工廠持續(xù)擴(kuò)建。

SEMI表示，物聯(lián)網(wǎng)、 車用、5G、AR／VR及AI將是中長期發(fā)展五大驅(qū)動(dòng)力。今年記憶體市場需求持續(xù)增加，DRAM位元需求成長預(yù)估為30%，NAND Flash成長45%。不過，NAND Flash產(chǎn)能增幅會(huì)更大、高達(dá)48%；DRAM產(chǎn)能也有較明顯的增長，增幅為10%，其余如微機(jī)電元件和電源管理IC，產(chǎn)能增幅各8%、5%。

SEMI昨天更新全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告，去年晶圓廠設(shè)備投資相關(guān)支出上修至570億美元，年增41%，創(chuàng)歷史新高；今年將再創(chuàng)新高、達(dá)630億美元，年增11%，其中南韓三星和SK海力士，以及中國大陸長江存儲(chǔ)、福建晉華、華力、合肥長鑫增建計(jì)劃是矚目的焦點(diǎn)。