Vishay漏極至源極耐壓MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3
Vishay TrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET，具有業內超低導通電阻RDS(on)的特性，進一步降低了導通損耗以及功耗。并擁有低柵極總電荷的特性。采用PowerPAK SO-8封裝，能以三分之一的尺寸實現相近的效率。應用于大功率DC/DC轉換器、同步整流器、太陽能微型逆變器以及電機驅動開關。
應用框圖
特性
源漏極導通電阻RDS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω
柵極電荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC
持續源漏極導通電流(TC=25°C): 241A/ 165A
100%通過Rg和UIS測試
材料兼容Pb-free RoHS標準
應用領域
同步整流
初級側開關
DC/DC轉換器
太陽能微型逆變器
電機驅動開關
電池和負載開關
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
147文章
7164瀏覽量
213276 -
Vishay
+關注
關注
20文章
882瀏覽量
116257 -
電機驅動
+關注
關注
60文章
1217瀏覽量
86752
發布評論請先 登錄
相關推薦
MOSFET電路柵源極GS之間并聯電容后，MOS管為什么會炸管？原因分析
MOSFET炸管也有三大原因，電壓，電流，溫度，比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過了最大極限值，或者M
mos管源極和漏極電流相等嗎
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種廣泛使用的半導體器件，它在電子電路中扮演著開關和放大器的角色。MOSFET由四個主要部分組成：源極（Source）、
mos管漏極電壓增大,為什么溝道變窄
通過以下幾個方面來解釋： 1. MOSFET的基本結構和工作原理 MOSFET由四個主要部分組成：源極（Source）、
使用PGA300EVM-034，選項ADC Calibration Mode里的“3P-1T” “2P-2T” “3P-3T” 是什么意思？
請教一下，我在使用PGA300EVM-034，在Guided Calibration -> Calibration Setting File 里面，配置文件里有一個選項ADC Calibration Mode ，請問這里的“3P-1T” “2P-2T” “
發表于 08-14 07:58
晶體管的漏極與源極有什么區別
在探討晶體管的漏極（Drain）與源極（Source）的區別時，我們首先需要明確晶體管的基本結構和工作原理。晶體管，尤其是場效應晶體管（FET），是一種通過控制輸入回路的電場效應來控制
射頻微波T1G4020036T1G4020036-FL英文手冊
電子發燒友網站提供《射頻微波T1G4020036T1G4020036-FL英文手冊.pdf》資料免費下載
發表于 08-06 14:57
?1次下載
MOS管源極和漏極是什么意思
（Source, S）和漏極（Drain, D）是兩個關鍵的電極，它們與柵極（Gate, G）共同構成了MOS管的基本結構。以下是對MOS管源極和漏
STM8AF5288T不帶ADC1嗎？
) || defined(STM8S207) || defined (STM8S007) || defined (STM8AF52Ax) || defined (STM8AF62Ax)
這樣是說明STM8AF5288T沒有ADC1嗎？
發表于 05-10 08:30
SP1T引腳二極管開關PULSAR
60 dB 的最低隔離度。所有的相應開關都是需要 +5VDC 和 -5VDC 才能夠使用。SP1T引腳二極管開關典型電流損耗為 +/- 30 mA。需用 0 至 +5VDC 的 TTL 控制邏輯
發表于 02-05 11:01
雙向可控硅導通問題，去掉觸發信號，T1,T2極也斷開了
multisim14 中用雙向可控硅MAC12HCDG仿真時，為什么觸發電流撤掉后，T1,T2極也斷開了燈泡不亮，電路如下圖，請幫忙看看電路是否有問題？
發表于 02-04 13:24
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區別
漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹
mos芯片源極漏極柵極在哪 mos管怎么判斷漏柵源極
MOS芯片是一種常見的電子器件，其中MOS管（MOSFET）是一種常用的三端器件，包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gat
工商網監
評論