三菱電機(jī)成功開(kāi)發(fā)6.5kV全SiC功率模塊

早在2013年，三菱電機(jī)供軌道交通車(chē)輛使用、搭載3.3kV的全SiC功率模塊便已實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化。其后，三菱電機(jī)堅(jiān)持致力于推廣更節(jié)能的SiC功率模塊以逐步取代傳統(tǒng)的Si功率模塊。

1月31日，三菱電機(jī)株式會(huì)社宣布已成功開(kāi)發(fā)出6.5kV耐壓等級(jí)全SiC功率模塊，該模塊采用單芯片構(gòu)造和新封裝，在1.7kV到6.5kV同類(lèi)功率模塊中實(shí)現(xiàn)了世界最高等級(jí)的功率密度（按功率半導(dǎo)體的額定電壓和電流計(jì)算）。三菱電機(jī)期待通過(guò)使用本模塊，幫助對(duì)有高電壓需求的軌道交通、電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)電力電子設(shè)備的小型化和節(jié)能化。

6.5kV全SiC功率模塊樣品

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、6.5kV全SiC功率模塊，有助于實(shí)現(xiàn)電力電子設(shè)備的小型化、節(jié)能化

實(shí)現(xiàn)了與Si IGBT功率模塊一樣的最高電壓6.5kV；

全SiC技術(shù)提升了功率密度和效率，并且可以通過(guò)提高器件開(kāi)關(guān)頻率，有助于實(shí)現(xiàn)高壓變流器的小型化和節(jié)能化。

2、單芯片構(gòu)造和高散熱、高耐熱的新型封裝，實(shí)現(xiàn)了高壓功率模塊世界最高功率密度

在一個(gè)功率芯片上集成SiC-MOSFET和二極管，大幅減小芯片面積；

采用高導(dǎo)熱性和高耐熱性的絕緣襯底以及高可靠性的芯片焊接技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高散熱和高耐熱性能的小型封裝；

在額定電壓為1.7kV到6.5kV的功率模塊中，實(shí)現(xiàn)了世界最高功率密度（9.3kVA/cm3）。

產(chǎn)品封裝

新型全SiC功率模塊采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝（三菱電機(jī)HV100），與本公司的HV100系列Si IGBT模塊也兼容。

新老產(chǎn)品比較

采用專(zhuān)利

本次開(kāi)發(fā)是受日本研究開(kāi)發(fā)法人新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）的推動(dòng)而實(shí)施的。專(zhuān)利數(shù)統(tǒng)計(jì)：日本國(guó)內(nèi)專(zhuān)利9件，國(guó)際專(zhuān)利3件。