效率超97.5%！由高功率 GaNSafe 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代電源方案，完美適配AI和超大規模數據中心

唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規模數據中心。

這款針對AI數據中心優化的輸出電壓為54V的服務器電源，符合開放計算項目（OCP）和開放機架v3（ORv3）規范，其三相交錯PFC和LLC拓撲結構中采用了高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅 MOSFETs，以確保實現最高效率和最佳性能，同時將無源器件的數量降至最低。

與競爭對手使用的兩相拓撲相比，該電源所采用的三相拓撲結構，能為PFC和LLC帶來行業內最低的紋波電流和EMI。此外，與最接近的競品相比，該電源的氮化鎵和碳化硅器件數量要少25%，進而降低了整體成本。該電源的輸入電壓范圍為180至264 Vac，待機輸出電壓為12V，工作溫度范圍為-5°C至45°C，在8.5kW時的保持時間為10ms，通過擴展器可達到20ms。

該電源的三相LLC拓撲結構由高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片驅動，該芯片專為要求嚴苛的高功率應用（如AI數據中心和工業市場）而設計打造。GaNSafe作為納微的第四代氮化鎵產品集成了控制、驅動、傳感和關鍵保護功能，具備前所未有的可靠性和魯棒性。

作為全球氮化鎵功率芯片的安全巔峰，GaNSafe具有短路保護（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV ESD保護、消除負柵極驅動和可編程的斜率控制。所有這些功能都可通過芯片4個引腳控制，使得封裝可以像一個離散的氮化鎵FET一樣被處理，不需要額外的VCC引腳、納微的650V GaNSafe目前提供TOLL和TOLT兩種封裝，RDS(ON)MAX范圍從25到98mΩ，可應用于1kW 到22kW的大功率應用場景。

該電源的三相交錯CCM TP-PFC由第三代快速碳化硅MOSFETs驅動，其采用了“溝槽輔助平面”技術。該技術是GeneSiC超過20年的碳化硅行業深耕的匠心之作，可提供全球領先的溫度性能，具備低溫升運行、快速開關和卓越的魯棒性的特點，以加速電動汽車的充電速度或為AI數據中心增進3倍功率。

納微半導體

首席執行官兼聯合創始人

Gene Sheridan

“納微完整的氮化鎵和碳化硅產品組合，是納微AI數據中心電源技術路線圖不斷發展的關鍵所在，剛剛發布的8.5kW電源正是最好的體現，而短期內我們也將陸續推出12kW甚至更高功率的服務器電源。

目前，全球大部分數據中心都無法滿足英偉達最新Blackwell GPUs的功率需求，這暴露了整個行業生態準備不足的困境，而我們全新的8.5kW電源將是解決AI和超大規模數據中心功率需求問題的關鍵秘鑰。”

納微全新的8.5kW AI數據中心服務器電源將在11月8-11日于西安曲江國際會議中心舉辦的中國電源學會年會（詳情請點擊此處）和11月12-15日舉辦的德國慕尼黑電子展首發亮相。

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過250項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。

更多精彩關注納微半導體視頻號

納微半導體、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及納微標識是Navitas Semiconductor 及其子公司的商標或注冊商標。所有其他品牌、產品名稱和標志都是或可能是各自所有者用于標識產品或服務的商標或注冊商標。