近日，三菱電機集團宣布，將于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）和其他電動汽車（xEV）電驅逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）裸片樣品。這是三菱電機首款標準規格的SiC-MOSFET功率半導體芯片，將助力公司應對xEV逆變器的多樣化需求，并推動xEV的日益普及。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結合了特有的芯片結構和制造技術，有助于提升逆變器性能、延長續航里程和提高xEV的能源效率，為脫碳目標做出貢獻。

功率半導體，作為促進全球脫碳的關鍵器件，能夠高效轉換電力，需求日益增多。特別是在汽車行業，車輛電動化能減少溫室氣體排放，推動了用于電機驅動逆變器和其他功率轉換設備的多樣化功率半導體的需求。其中，碳化硅（SiC）功率半導體因其能顯著降低功率損耗而備受期待。三菱電機于1997年開始量產用于xEV的功率半導體模塊，為提高包括熱循環耐性在內的可靠性和解決逆變器小型化問題做出了貢獻，并已應用于各種電動汽車（EV）和混合動力電動汽車（HEV）。2024年3月，該公司開始供應J3系列xEV功率半導體樣品，該系列產品采用最新壓注模（T-PM）技術實現小型化設計，在汽車市場得到廣泛應用。

三菱電機的新型功率半導體芯片是一種特有的溝槽柵*SiC-MOSFET，與傳統的平面柵**SiC-MOSFET相比，其功率損耗降低了約50%。特有的制造技術，如抑制功率損耗和導通電阻波動的柵極氧化膜工藝，讓新款芯片更加耐久穩定，有助于提高逆變器的耐用性和xEV性能。

未來，三菱電機將繼續致力于提供高品質、低功率損耗的SiC-MOSFET裸片，讓高性能xEV更加普及，從而為構建一個更加低碳的世界做出貢獻。

產 品 特 點

特有的溝槽柵SiC-MOSFET延長了xEV的續航里程并降低了電力成本

采用了三菱電機在制造Si功率半導體芯片過程中積累的先進小型化技術，與傳統的平面柵SiC-MOSFET相比，導通電阻更低。

采用傾斜離子注入替代傳統的垂直離子注入，降低了開關損耗。

與傳統的平面柵SiC-MOSFET相比，功率損耗降低了約50%，從而提高了逆變器性能，延長了xEV的續航里程，并降低了電力成本。

特有制造技術助力提升xEV性能

三菱電機采用獨特的制造技術，生產溝槽柵SiC-MOSFET，這項技術是三菱電機在20多年平面柵SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（SBD）的研究和制造中總結出來的。如三菱電機特有的柵極氧化膜工藝，抑制了由重復開關引起的功率損耗和導通電阻波動，讓逆變器更加耐用，xEV性能更加穩定。

主要規格

*溝槽柵：在晶圓表面挖出溝槽（trench），并將柵極嵌入其中

** 平面柵：柵極放置在晶圓表面

***Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

關于三菱電機

三菱電機創立于1921年，是全球知名的綜合性企業。截止2024年3月31日的財年，集團營收52579億日元（約合美元348億）。作為一家技術主導型企業，三菱電機擁有多項專利技術，并憑借強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發和生產半導體已有68年。其半導體產品更是在變頻家電、軌道牽引、工業與新能源、電動汽車、模擬/數字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。