接觸孔工藝是指在 ILD 介質層上形成很多細小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因為 Cu 很容易在氧化硅和襯底硅中擴散，Cu擴散會造成器件短路。因為淀積鎢的工藝是金屬CVD，金屬CVD具有優良的臺階覆蓋率以及對高深寬比接觸通孔無間隙的填充。

1） CT 光刻處理。通過微影技術將CT 掩膜版上的圖形轉移到晶圓上，形成CT的光刻膠圖案，非CT 區域上保留光刻膠。AA作為CT 光刻曝光對準。圖4-230所示為電路的版圖，工藝的剖面圖是沿 AA'方向，圖4-231所示為CT 光刻的剖面圖，圖4-232所示為CT 顯影的剖面圖。

2）測量 CT 光刻的關鍵尺寸。

3）測量CT光刻套刻，收集曝光之后的CT光刻與AA的套刻數據。

4） 檢查顯影后曝光的圖形。

5）CT干法刻蝕。干法刻蝕利用CHF3和CF4等氣體形成等離子體轟擊去除無光刻膠覆蓋區域的氧化物，獲得垂直的側墻形成接觸通孔，提供金屬和底層器件的連接。SiON作為刻蝕的緩沖層，終點偵查器會偵查到刻蝕氧化物的副產物銳減，刻蝕最終停在硅上面。圖4-233所示為CT 刻蝕的剖面圖。

6）去除光刻膠。通過干法刻蝕和濕法刻蝕去除光刻膠。圖4-234所示為去除光刻膠的剖面圖。

7）清洗。將晶圓放入清洗槽中清洗，得到清潔的表面。

8） 測量 CT刻蝕關鍵尺寸。

9）Ar刻蝕。PVD前用 Ar 離子濺射清潔表面。

10）淀積Ti/TIN層。利用PVD淀積200A的Ti和500A的TiN。通入氣體Ar轟擊Ti靶材，淀積Ti薄膜。通入氣體Ar 和N2轟擊Ti靶材，淀積 TiN 薄膜。Ti/TiN 層可以防止鎢與硅反應，而且有助于后續的鈣層附著在氧化層上，因為鎢與氧化物之間的粘附性很差，如果沒有 Ti/TiN的輔助，鎢層很容易脫落。圖4-235所示為淀積Ti/TiN的剖面圖。

11）退火。利用快速熱退火加熱到700°C，在N2環境中，修復刻蝕造成的硅表面晶體損傷，同時 Ti/TiN 層與硅合金化。

12）淀積鎢層。利用 WCVD的方式淀積鎢層，填充接觸孔，通人的氣體是WF6、SiH4和H2。淀積分兩個過程：首先是利用WF6和SiH4淀積一層成核的鎢籽晶層，再利用WF6和H2淀積大量的鎢。鎢生長是各向同性，生長的厚度不小于 CT 的半徑。圖4-236所示為淀積鎢層的剖面圖。

13）鎢CMP。利用CMP 除去表面的鎢和Ti/TiN層，防止不同區域的接觸孔短路，留下鎢塞填充接觸孔。氧化物是CMP的停止層，CMP終點偵察器偵查到 ILD 硅玻璃的信號，但還要考慮工藝的容忍度，防止有鎢殘留造成短路，所以偵查到終點時，還要進行一定時間的工藝。圖4-237所示為鎢CMP的剖面圖。