前言

今天到手的是款MACOM的CMPA601C025F 6-12GHz頻段的25瓦GaN功率放大器，

這篇文章就帶大家一起了解這款GaN功率放大器（結合官方提供的數據手冊PDF來分析了解）

CMPA601C025F

名稱與基本描述

• 型號：CMPA601C025F
• 封裝類型：440213。
• 功率與頻率范圍：該器件是一款6.0-12.0 GHz頻段的25瓦GaN功率放大器，基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）工藝，并且采用了硅碳（SiC）基板。
• 工藝技術：0.25 μm 柵極長度制程，結合硅碳基板，使得該放大器具有較高的功率密度和效率。
• 封裝描述：采用10引腳金屬/陶瓷法蘭封裝，尺寸為25 mm x 9.9 mm，具有熱增強特性，非常適合高功率應用。

主要性能參數

• 小信號增益：在6.0至12.0 GHz頻段內，小信號增益在31-37 dB之間。
• 輸出功率：在輸入功率為22 dBm時，輸出功率可達34-51瓦。
• 功率增益與PAE：在不同頻率下，功率增益最高為25 dB，功率附加效率（PAE）在21-36%之間，顯示了其在高頻率下的良好效率表現。

應用場景

• 該器件可用于電子干擾放大器、測試設備和寬帶功率放大器等場合。

最大絕對額定值與電氣特性

最大絕對額定值（不可同時滿足）：

• 漏-源電壓（VDSS）：最大值為84V。
• 柵-源電壓（VGS）：范圍為-10 V至+2 V。
• 存儲溫度范圍：-40oC到+150oC。
• 結溫：最大允許結溫為225oC。
• 焊接溫度：最大焊接溫度為245oC。

電氣特性：

• 門限電壓（VTH）：在漏電壓為10V、漏電流為23mA時，門限電壓在-3.8V到-2.3V之間。
• 漏-源擊穿電壓（VBD）：最小值為84V，典型值可達100V。

CMPA601C025F官方PDF演示的性能圖例

小信號S參數與頻率的關系

• 描述了S11、S21和S22在不同頻率下的表現。該圖表明CMPA601C025F在整個工作頻率范圍內保持了較低的反射損耗和較高的增益，表現出良好的輸入輸出阻抗匹配特性。

輸出功率、增益和PAE與輸入功率的關系

• 在輸入功率增加的情況下，輸出功率、增益和功率附加效率的變化趨勢。這對于工程師評估器件的增益線性度和效率特性有重要意義。

功率附加效率（PAE）與輸入功率的關系

• 分析不同頻率下，PAE隨著輸入功率變化的趨勢，可以看到在6 GHz、9.5 GHz和12 GHz頻率下的效率表現。

輸出功率與輸入功率的關系

• 展示了輸出功率隨輸入功率的變化曲線，反映了放大器在不同頻率下的輸出線性度。

增益與輸入功率的關系

• 反映了不同頻率下，功率增益隨著輸入功率增加的變化趨勢。可以看到，隨著輸入功率的增加，增益保持了較為穩定的特性。

功耗降額曲線

• 顯示了隨溫度變化的功耗降額關系，幫助用戶了解在不同溫度條件下如何合理管理器件的功耗。

演示電路原理圖

• （官方也有做好的成品測試板子CMPA601C025F-AMP，這里提醒下CMPA601C025F-AMP是包含1個CMPA601C025F的哦）：

• 展示了CMPA601C025F的演示放大器電路的詳細電路圖，為設計工程師提供了實際的應用設計示例。

封裝信息及引腳定義

引腳定義：

• 每個引腳的功能定義，包括柵極偏置、漏極偏置、輸入（RFIN）和輸出（RFOUT）等。封裝設計為金屬/陶瓷法蘭，以便提高熱導性能，減少功率器件在高功率應用中的熱損壞風險。

以上信息來自MACOM官網及PDF及互聯網，如有侵權請告知，希望這篇文章帶你了解該型號的特性。