超結MOSFET的優勢在于其具有高耐壓和低電阻的特點。相較于普通高壓VDMOS，超結MOSFET的導通電阻遠小，適用于高能效和高功率密度的快速開關應用。此外，超結MOSFET的額定電壓越高，導通電阻的下降越明顯，使其在中低功率水平下的高速運行非常適合。充電器芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PW電源管理芯片，內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。

NO.1 系統啟動和靜態電流

充電器芯片U8621的啟動電流低至10uA，啟動電路的電阻值可以高達4M,這樣使電源系統擁有更低的損耗；芯片靜態電流低至500uA，使得電源系統設計者更加輕松應對能源之星六或者能效六級的能效標準。

NO.2 頻率抖動功能

充電器芯片U8621采用專用的抖頻技術，在中心頻率的±5%范圍內隨機選擇工作頻率，使得電源系統的電磁兼容性能得到極大的。U8621內置斜率補償功能用來消除次諧波震蕩。

NO.3 自適應工作模式

充電器芯片U8621根據FB腳電平自動匹配工作模式，當FB電平低于1.1V時，芯片進入打嗝工作模式，此模式下芯片工作頻率為25KHz，最小導通時間為1.2uS；當FB電平低于1.7V 時，芯片進入變頻模式，此模式下芯片工作頻率在25K-65K變動，驅動高電平時間由FB和CS電平控制；當FB電平大于3.7V時，芯片進入恒功率模式，此時芯片工作頻率為65KHz，PWM占空比由對應的VOCP控制。

NO.4 恒功率輸出

充電器芯片U8621具備恒功率輸出模式，當FB腳電平大于3.7V以后，芯片PWM占空比由CS引腳電平對應的VOCP來控制，為保證在AC90V-264V輸入范圍內的恒功率性能，對VOCP值根據占空比進行補償。

NO.5 恒溫輸出

充電器芯片U8621具備一定條件的恒溫模式，當芯片內部溫度達到設定溫度范圍后，芯片內部自動啟動恒溫模式、并開始降低輸出電流的模式來降低輸出功率直至溫度平衡，保證在極端情況下能不間斷輸出電力供應。

充電器芯片U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點。U8621在一定條件下適用于輸入電壓AC90V-264V的輸出功率為18W以內的離線式反激開關變換器，滿足VI級能效標準。U8621采用SOP-8并采用單邊漏極并聯封裝增加散熱效果！