電子發燒友網報道（文/黃晶晶）近日據韓媒報道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向，并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲采購通用HBM4芯片，是為了強化超級電腦Dojo的性能。Dojo超級電腦是特斯拉用于自動駕駛技術開發和訓練的重要工具，需要高存儲器帶寬來處理大量數據和復雜計算任務。據稱，目前特斯拉汽車主要配備了HBM2E芯片。

而今年10月有消息表示，SK海力士在汽車內存領域取得了顯著進展，已向谷歌母公司 Alphabet 旗下自動駕駛企業 Waymo 獨家供應車規級 HBM2E 內存。并且SK 海力士是目前市場上唯一一家能提供符合嚴苛AEC-Q車規標準的HBM芯片制造商。SK海力士正積極與NVIDIA、Tesla等自動駕駛領域解決方案巨頭的合作將HBM的應用從AI數據中心拓展到智能汽車市場。

除了特斯拉欲采購通用HBM4芯片之外，三星電子和SK海力士還在為谷歌、Meta和微軟等美國大型科技公司開發定制的HBM4芯片。可以看到，這些科技巨頭在不同領域都在推進HBM4芯片的商用進展。

當前內存廠商也正在積極進行HBM4芯片的開發。SK海力士計劃在明年下半年量產12層HBM4，核心芯片采用1b DRAM，同時采用臺積電5nm工藝和12nm工藝量產邏輯芯片。還有報道稱，SK集團董事長崔泰源透露，英偉達CEO要求SK海力士將HBM4芯片的供應提前六個月。SK海力士首席執行官表示，這是有可能做到的。

同時，SK海力士正在開發16層堆疊的HBM4內存，并計劃于2025年量產。使用臺積電的5納米工藝來創建HBM4封裝底部的基底芯片，并計劃引入混合鍵合技術以減少存儲芯片堆疊縫隙的高度，實現更多層數的堆疊。

另外，HBM4E方面，SK海力士正在開發HBM4E產品，計劃于2026年量產。根據SK海力士HBM封裝路線圖，公司將從HBM4E開始采用混合鍵合技術來堆疊和接合DRAM。

混合鍵合通過硅通孔電極 (TSV) 直接連接銅與銅，它不需要HBM目前使用的微凸塊。不需要底部填充材料。它不僅最大限度地縮小了頂部和底部 DRAM 之間的間隙，而且沒有微凸塊電阻，因此信號傳輸速度快，熱量管理高效。

SK海力士預計具有20級或更多級的第8代HBM“HBM5”將轉換為完整的混合鍵合系統。此外，還提出了引入三維（3D）封裝的可能性。也就是將HBM堆疊在處理器頂部的方法，預計硅中介層和基板等封裝組件將發生重大變化。

三星電子HBM3E的認證也處于進展中，最新消息是英偉達CEO黃仁勛近日表示，目前正在努力盡快進行三星電子高帶寬內存（ HBM）認證。英偉達正在考慮接收三星電子交付的8層和 12層HBM3E。

三星電子設備解決方案（DS）部門存儲業務部副總裁 Kim Jae-jun 在第三季度業績電話會議上表示，“我們正在量產8層和12層第五代HBM3E，并正在為主要客戶完成質量測試過程中的重要一步，目前已完成資格認證過程中的一個重要階段，預計將在第四季度開始擴大銷售。”

據韓媒報道，三星電子將于今年底開始HBM4的流片工作，HBM4測試產品預計最早明年發布，三星將在驗證最初生產的HBM4產品的運行情況后，繼續進行設計和工藝改進，然后再對主要客戶進行產品送樣。預計明年年底量產12層HBM4 產品。從HBM4開始，三星電子計劃采用10納米第6代（1c）DRAM，并使用其4納米代工工藝量產邏輯芯片。為此，三星電子正準備向平澤P4工廠引進DRAM處理設備，線路建設已全面啟動，目標是明年6月投入運營，生產第六代1c制程 DRAM。