森國(guó)科推出的1200V/25A IGBT(選型：KG025N120LD-R)適用于逆變焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款I(lǐng)GBT的魯棒性和耐用性極強(qiáng)，當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的四倍時(shí)無(wú)閂鎖效應(yīng)，短路時(shí)間極短，僅5μs，最大工作結(jié)溫?cái)U(kuò)大到175℃，有助于延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。

IGBT芯片的溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)，進(jìn)一步減小了正向?qū)〞r(shí)飽和壓降值，優(yōu)化了器件開(kāi)關(guān)性能，在提高性能同時(shí)可使芯片做的更薄，有利于滿足逆變頻率高達(dá)20~30kHz的情況下，控制變壓器體積，更便于運(yùn)輸搬運(yùn)。

性能特點(diǎn)

最大結(jié)溫：TJ =175°C

低集電極發(fā)射極飽和電壓

易于并聯(lián)使用

VCE(sat)正溫度系數(shù)

低熱阻

高魯棒性

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

軟開(kāi)關(guān)能力

高效率

適用于高電壓、大電流應(yīng)用

應(yīng)用領(lǐng)域

電焊機(jī)

不間斷電源

電磁加熱器

最大額定數(shù)值

深圳市森國(guó)科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動(dòng)芯片、無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū)，在深圳、成都、蘇州設(shè)有研發(fā)及運(yùn)營(yíng)中心。公司研發(fā)人員占比超過(guò)70%，研究生以上學(xué)歷占比50%，來(lái)自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤(rùn)上華等機(jī)構(gòu)，囊括清華大學(xué)、電子科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)等微電子專業(yè)知名院校。

森國(guó)科碳化硅產(chǎn)品線為650V和1200V 碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產(chǎn)品系列廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機(jī)電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國(guó)科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級(jí)晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩(wěn)步進(jìn)入國(guó)內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風(fēng)儲(chǔ)逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應(yīng)鏈。

森國(guó)科功率IC采用先進(jìn)的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅(qū)動(dòng)、BLDC及FOC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。經(jīng)過(guò)5年的發(fā)展，該產(chǎn)品線的團(tuán)隊(duì)在BCD工藝，UHV工藝、數(shù)模混合、電機(jī)驅(qū)動(dòng)算法方面有深厚的積累。功率器件驅(qū)動(dòng)芯片，已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列，即將推出高壓系列。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片方面，已經(jīng)推出單相BLDC散熱風(fēng)扇電機(jī)系列和三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)系列。

森國(guó)科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍(lán)思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下，以低成本創(chuàng)新為己任，努力為客戶提供高性價(jià)比的綠色“芯”動(dòng)力，成為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司!