選擇性沉積技術可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。

隨著芯片制造技術的不斷進步，制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰，尤其是全環繞柵極（Gate-All-Around， GAA）晶體管和更先進的CEFT晶體管，為了進一步優化，一種名為選擇性沉積的技術應運而生。這項技術通過精確控制材料在特定區域內的沉積過程來實現這一目標，并主要分為按需沉積（DoD， Deposition on Demand）與按需材料工藝（MoD， Material on Demand）兩種形式。

按需沉積（DoD）

DoD工藝的核心在于能夠精準地將材料沉積到需要的地方，同時避免非目標區域受到不必要的覆蓋。

表面準備：首先對基板進行徹底清潔及預處理，確保后續沉積過程中的材料能夠良好附著。

抑制層的選擇性：接著，在不需要沉積材料的地方施加一層保護性的抑制層，以防止材料在此處沉積。（一） 抑制金屬與氧化物：硫醇、炔烴、芳香胺（二） 抑制氧化物/硫化物與其他氧化物/硫化物：羧酸、β-二酮（三） 抑制氧化物與金屬：甲氧基硅烷

選擇性沉積：利用技術，在已經準備好的表面上準確地沉積所需材料。

抑制層移除：最后一步是去除之前添加的抑制層，完成整個沉積流程的同時保持結構完整無損。

按需材料工藝（MoD）

MoD工藝則專注于根據不同需求，在指定位置上沉積多種類型的材料，例如鎢（W）或鉬（Mo），從而創建出更為復雜且功能強大的互連結構。其具體實施步驟如下：

1.原始材料引入：開始時先沉積一層基礎材料，比如鎢或鉬。

2.表面清潔：隨后清除表面存在的任何雜質，保證接下來要沉積的材料能夠牢固結合。

3.抑制層應用與表面預備：同樣采用抑制層技術來限制材料僅在預定區域內沉積。

4.選擇性ALD沉積：再次運用ALD技術，這次是為了給銅互連增加一層鎢或鉬作為襯墊，增強導電性能。

5.抑制層移除：最后階段同樣是移除所有多余的抑制層，確保最終形成的互連結構既緊密又可靠。