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iPhone的DRAM封裝,有變!

半導體芯科技SiSC ? 來源:thelec ? 作者:thelec ? 2024-12-09 10:19 ? 次閱讀

來源: thelec

三星已經(jīng)開始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。

消息人士稱,這家韓國科技巨頭試圖將 LPDDR集成電路 (IC) 改為分立封裝,是為了滿足蘋果的要求。

這意味著 LPDDR 將與系統(tǒng)半導體分開封裝(即分立封裝)。庫比蒂諾計劃從 2026 年開始應用這一變化。

目前,LPDDR 采用堆疊封裝在系統(tǒng)芯片之上(封裝堆疊,PoP)。

對分立封裝的改變是為了擴大設備上 AI 的內(nèi)存帶寬。

蘋果于2010年在iPhone 4上首次應用LPDDR。PoP可使IC設計得更小,非常適合移動應用。

然而,PoP 并不是設備上 AI 的最佳選擇。帶寬由數(shù)據(jù)傳輸速度、數(shù)據(jù)總線寬度和數(shù)據(jù)傳輸通道決定。總線寬度和通道由 I/O 引腳數(shù)決定。要增加引腳數(shù),封裝需要變得更大。但在 PoP 中,內(nèi)存的大小由 SoC 決定,這限制了封裝上的 I/O 引腳數(shù)。

另一種解決方案是讓蘋果使用目前在服務器芯片中廣泛使用的高帶寬內(nèi)存 (HBM),但它在尺寸和功耗方面受到智能手機的限制。

過去,蘋果已經(jīng)在 Mac 和 iPad 中為其 SoC 使用了分立封裝。由于分立存儲器與 SoC 分開封裝,因此可以添加更多 I/O 引腳。

分立封裝還能提供更好的熱調(diào)節(jié)。設備上的 AI 并行處理會產(chǎn)生大量熱量。內(nèi)存表面越大,熱量就能從更寬的表面上散發(fā)出去。

但是也有缺點,那就是內(nèi)存和 SoC 之間的距離變長了。Mac 和 iPad 使用的是分立封裝,但后來在 M1 SoC 上改用了封裝內(nèi)存 (MOP)。使用 MOP 可以縮短芯片之間的距離,減少延遲,并最大限度地減少功率損耗。

為了讓蘋果應用獨立封裝并利用其優(yōu)勢,它需要減小 SoC 和電池的尺寸,以便為內(nèi)存提供更多空間。

三星還可能嘗試將 LPDDR6-PIM(內(nèi)存中的處理器)應用于 iPhone DRAM。LPDDR6 的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬是 LPDDR5X 的兩到三倍。LPDDR6-PIM 是專為設備上設計的,三星和同胞內(nèi)存制造商 SK Hynix 自本月初以來一直在合作標準化 LPDDR6-PIM。

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審核編輯 黃宇

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