IGBT是中高壓應用的主要器件。為滿足越來越多的對穩健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求，Nexperia IGBT采用先進的載流子儲存溝柵場截止(FS)工藝，為工業應用帶來高可靠性的同時，提高功率密度。

安世半導體的IGBT功率半導體產品總監史威將于2024年12月19日（周四）下午1530帶來以《高可靠性IGBT的新選擇——安世半導體650V IGBT介紹及其優勢》為主題的網絡研討會。

屆時他將深入解析安世半導體TO247 - 3封裝的650V IGBT，并闡述其大幅優化的關斷損耗與關斷過壓尖峰，如何達成較低溫升與卓越效率，并探討其在系統功率轉換及電機驅動方面的應用優勢。

直播主題

高可靠性IGBT的新選擇——安世半導體650V IGBT介紹及其優勢

直播時間

2024年12月19日（周四）下午1530

直播大綱

1. 安世半導體IGBT產品系列介紹

2. 安世半導體650V IGBT產品的特點及應用優勢

直播講師

史威

安世半導體（德國）

功率半導體產品總監

從事功率半導體器件（IGBT, SiC MOSFETs）運用需求，產品定義及市場推廣工作多年。現任安世半導體（德國）功率半導體產品總監，規劃主導IGBT產品路線。

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Nexperia（安世半導體）為全球客戶提供服務，每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。